[发明专利]一种电子装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种电子装置及其制造方法，尤其涉及一种可应用于触控面板的电子装置及其制造方法。

背景技术

在现有技术中，应用于透明导电电极(transparentconductiveelectrode)的纳米银线(AgNW)图案化方法主要是使用湿式蚀刻法或激光蚀刻法。其中，湿式蚀刻法需先涂布整面的膜层，再经过黄光工艺，其不仅步骤繁复且浪费材料。此外，纳米银线较难被蚀刻，在蚀刻过程中，很可能出现纳米银线的残留物。而对于激光蚀刻法来说，其在大面积上处理费时且成本昂贵。

针对上述步骤繁琐或成本较高的不良情形，现有技术的一种解决方案是在于使用压印转移(imprinttransfer)方法：首先运用刮墨技术(doctoringblade)，在玻璃凹版(cliché)的凹陷图案中刮入含有纳米银线的溶液，然后在140℃下进行热烤。之后，于涂布一层整面的UV树脂后，覆盖PET(polyethyleneterephthalate，聚乙烯对苯二甲酸脂)层作为塑胶基板并进行压印(imprint)操作。接着，对覆盖有PET塑胶基板的UV树脂照射紫外光，使其固化(curing)。最后进行剥离(release)制程，将覆盖有PET塑胶基板的UV树脂与玻璃凹版的凹陷图案中的纳米银线一并自凹版剥离，从而得到具有图案化的纳米银线膜层的产品。

然而，在上述压印转移制程中，玻璃凹版因使用氢氟酸(HF)湿蚀刻制程造成了各向同性蚀刻(isotropicwetetching)，这将无法做出线宽较小(诸如，3微米)的凹陷图案。举例来说，现有玻璃凹版的凹陷图案的宽度为10微米至1000微米，由于纳米银线位于该凹陷图案内，纳米银线的线宽与凹陷图案的宽度相一致，因此很难做出小线宽的图案化的纳米银线膜层。

有鉴于此，如何设计一种可简化形成导电图案的工艺并节省制造成本的制造方法，是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。

发明内容

针对现有技术中的压印转移制程很难做出小线宽的图案化的纳米银线膜层的这一缺陷，本发明提供了一种新颖的电子装置及其制造方法，以简化形成小线宽的图案化的纳米导电材料，用作诸如透明导电电极或触控传感器。

依据本发明的一个方面，提供了一种电子装置的制造方法，包括以下步骤：

提供一玻璃凹版，其包括间隔设置的一凹陷部和一凸起部，所述凸起部具有一预设宽度；

将一导电材料涂布于圆筒形的高分子膜层表面；

滚动所述高分子膜层，以狭缝涂布方式将所述导电材料转移至所述凸起部的表面；

填充一树脂层于所述导电材料以及所述凹陷部的上方，其中，该树脂层与该导电材料之间的黏着力大于该导电材料与该凸起部之间的黏着力；

形成一塑胶基板于所述树脂层的上方，并利用紫外光对所述树脂层进行固化；以及

通过一离型制程，使所述树脂层与所述玻璃凹版相脱离，从而形成图案化的所述树脂层，且所述导电材料位于图案化的所述树脂层的沟槽底部。

在其中的一实施例，所述导电材料的线宽等于所述预设宽度。

在其中的一实施例，所述预设宽度为3微米。

在其中的一实施例，所述导电材料为银浆(silverpaste)、纳米银线(AgNW)、碳棒(Carbon)或石墨烯(graphene)。

在其中的一实施例，所述树脂层的凸起高度等于所述玻璃凹版的凹陷部的深度。

在其中的一实施例，上述提供玻璃凹版的步骤还包括：提供一玻璃基板；形成一钼薄膜层于所述玻璃基板的上方；利用光刻法(photolithography)对所述钼薄膜层进行图案化，以露出所述玻璃基板的一部分；以及对所述玻璃基板的露出部分进行各向同性的湿蚀刻，以形成所述玻璃凹版，其中，所述凸起部的预设宽度由湿蚀刻的蚀刻时间来控制。

在其中的一实施例，所述高分子膜层为聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)材质。

依据本发明的另一个方面，提供了一种电子装置，包括：

一塑胶基板；

一树脂层，位于所述塑胶基板上，其中该树脂层具有间隔设置的一凸起部以及一沟槽；以及

一导电材料，位于所述树脂层的沟槽底部。

在其中的一实施例，所述导电材料的线宽为3微米。

在其中的一实施例，所述导电材料为银浆(silverpaste)、纳米银线(AgNW)、碳棒(Carbon)或石墨烯(graphene)。