[发明专利]一种电子装置及其制造方法

权利要求书

1.一种电子装置的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤：

提供一玻璃凹版，其包括间隔设置的一凹陷部和一凸起部，所述凸起部具有一预设宽度；

将一导电材料涂布于圆筒形的高分子膜层表面；

滚动所述高分子膜层，以狭缝涂布方式将所述导电材料转移至所述凸起部的表面；

填充一树脂层于所述导电材料以及所述凹陷部的上方，其中，该树脂层与该导电材料之间的黏着力大于该导电材料与该凸起部之间的黏着力；

形成一塑胶基板于所述树脂层的上方，并利用紫外光对所述树脂层进行固化；以及

通过一离型制程，使所述树脂层与所述玻璃凹版相脱离，从而形成图案化的所述树脂层，且所述导电材料位于图案化的所述树脂层的沟槽底部。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述导电材料的线宽等于所述预设宽度。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述预设宽度为3微米。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述导电材料为银浆、纳米银线、碳棒或石墨烯。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述树脂层的凸起高度等于所述玻璃凹版的凹陷部的深度。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，上述提供玻璃凹版的步骤还包括：

提供一玻璃基板；

形成一钼薄膜层于所述玻璃基板的上方；

利用光刻法对所述钼薄膜层进行图案化，以露出所述玻璃基板的一部分；以及

对所述玻璃基板的露出部分进行各向同性的湿蚀刻，以形成所述玻璃凹版，其中，所述凸起部的预设宽度由湿蚀刻的蚀刻时间来控制。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述高分子膜层为聚二甲基硅氧烷材质。

8.一种电子装置，其特征在于，该电子装置包括：

一塑胶基板；

一树脂层，位于所述塑胶基板上，其中该树脂层具有间隔设置的一凸起部以及一沟槽；以及

一导电材料，位于所述树脂层的沟槽底部。

9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，所述导电材料的线宽为3微米。

10.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，所述导电材料为银浆、纳米银线、碳棒或石墨烯。