[发明专利]利用冗余硅工艺降低高k金属栅器件阈值电压波动的方法有效
| 申请号： | 201510375660.2 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105047549B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 何志斌;景旭斌 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 冗余 工艺 降低 金属 器件 阈值 电压 波动 方法 | ||
1.一种利用冗余硅工艺降低高k金属栅器件阈值电压波动的方法，其特征在于包括：
第一步骤：在晶圆上形成氮化硅层，并且在氮化硅层中形成凹槽，而且在凹槽的底部形成内层，并且在内层表面以及凹槽侧壁上依次沉积高k材料介电层和氮化钛层；
第二步骤：在所述氮化钛层上淀积冗余硅层；
第三步骤：在所述冗余硅层上淀积氮化钽阻挡层；
第四步骤：执行退火，以使得所述冗余硅层分别与所述氮化钛层和所述氮化钽阻挡层融合而分别形成氮硅化钛层和氮硅化钽层。
2.根据权利要求1所述的利用冗余硅工艺降低高k金属栅器件阈值电压波动的方法，其特征在于，在高k金属栅器件工艺中执行所述利用冗余硅工艺降低高k金属栅器件阈值电压波动的方法。
3.根据权利要求1或2所述的利用冗余硅工艺降低高k金属栅器件阈值电压波动的方法，其特征在于还包括：淀积P型金属栅并最终形成P型金属栅极。
4.根据权利要求1或2所述的利用冗余硅工艺降低高k金属栅器件阈值电压波动的方法，其特征在于，所述冗余硅层的厚度为5-50埃。
5.根据权利要求1或2所述的利用冗余硅工艺降低高k金属栅器件阈值电压波动的方法，其特征在于，在第四步骤中，退火温度为50-1250摄氏度。
6.根据权利要求1或2所述的利用冗余硅工艺降低高k金属栅器件阈值电压波动的方法，其特征在于，在第四步骤中，退火时间为0.1-1000秒。
7.根据权利要求1或2所述的利用冗余硅工艺降低高k金属栅器件阈值电压波动的方法，其特征在于，所述高k材料介电层的材料为HfO2。
8.根据权利要求1或2所述的利用冗余硅工艺降低高k金属栅器件阈值电压波动的方法，其特征在于，所述冗余硅层的材料为无定形硅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510375660.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
