[发明专利]一种无残余应力薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201510373878.4 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104928626A | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 苏建丽 | 申请（专利权）人： | 青岛文创科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 钟廷良 |
| 地址： | 266061 山东省青岛市崂山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 残余 应力 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种无残余应力薄膜的制备方法，其具体步骤如下：
(1)利用PVD或者CVD薄膜溅射或者沉积在单晶晶体上；
(2)将薄膜试样置于薄膜支架上；
(3)将带有试样的薄膜支架放置于能够溶解晶体的溶液中并使晶体溶解；
(4)干燥、固定薄膜试样，得无残余应力薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述单晶为NaCl晶体。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述能够溶解晶体的溶液为去离子水与乙醇按1~7︰4~10的体积比混合的溶液。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述能够溶解晶体的溶液为去离子水与乙醇按7︰10 体积比混合的溶液。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在双面抛光的NaCl基底上，制备前NaCl基底经丙酮清洗后，采用Ar离子清洗，调节磁控溅射的本底真空、直流偏压、Ar气压力、溅射速率、溅射温度和溅射时间以制备得到无残余应力薄膜。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射的本底真空为1~8×10-4Pa、直流偏压为5~20V、Ar气压力为0.2~1.0Pa、溅射速率为5~30nm/min、溅射温度为70~120℃和溅射时间为60~120min。
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