[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层之上形成第二绝缘层,所述第二绝缘层的刻蚀速率小于所述第一绝缘层的刻蚀速率；

在所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上形成贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的第一过孔，所述第一过孔的第二绝缘层侧壁与第一绝缘层侧壁平滑连接。

2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成第一绝缘层的步骤包括：

在衬底基板上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极；

在所述薄膜晶体管之上形成所述第一绝缘层，所述第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极对应设置。

3.根据权利要求2所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层的构成材料包括氮化硅，所述第二绝缘层的构成材料包括树脂材料。

4.根据权利要求3所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述在所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上形成贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的第一过孔的步骤包括：

对所述第二绝缘层进行刻蚀处理以形成第一中间过孔，所述第一中间过孔与所述薄膜晶体管的漏极对应；

对所述第一绝缘层进行刻蚀处理以形成第二中间过孔，所述第二中间过孔与所述薄膜晶体管的漏极对应；

通过对所述第二绝缘层进行固化处理在所述第二中间过孔的第一绝缘层侧壁之上形成第二绝缘层薄膜，所述第一过孔由所述第一中间过孔和所述第二中间过孔构成。

5.根据权利要求4所述的显示基板的制备方法，其特征在于，对所述第一绝缘层进行刻蚀处理的条件为：功率范围包括4000mW至7000mW。

6.根据权利要求4所述的显示基板的制备方法，其特征在于，对所述第一绝缘层进行刻蚀处理的条件为：刻蚀气体为六氟化硫和氦气的混合气体。

7.根据权利要求4所述的显示基板的制备方法，其特征在于，对所述第二绝缘层进行固化处理的条件为：温度范围包括245℃至255℃，时间范围包括20min至40min。

8.根据权利要求7所述的显示基板的制备方法，其特征在于，对所述第二绝缘层进行固化处理的条件为：所述温度为250℃，所述时间为30min。

9.根据权利要求4所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述对所述第二绝缘层进行刻蚀处理以形成第一中间过孔的步骤之后，所述对所述第一绝缘层进行刻蚀处理以形成第二中间过孔的步骤之前包括：

对所述第二绝缘层进行预固化处理，所述预固化处理的条件为：温度为130℃，时间为200sec。

10.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，形成第二绝缘层的条件为：曝光剂量小于100mj，干燥压力小于26pa，显影时间大于70sec。

11.一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板，所述衬底基板上设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层之上设置有第二绝缘层,所述第二绝缘层的刻蚀速率小于所述第一绝缘层的刻蚀速率，所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上设置有贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的第一过孔，所述第一过孔的第二绝缘层侧壁与第一绝缘层侧壁平滑连接。

12.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述衬底基板上设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极，所述第一绝缘层设置在所述薄膜晶体管之上，所述第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极对应设置。

13.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，所述第一绝缘层的构成材料包括氮化硅，所述第二绝缘层的构成材料包括树脂材料。

14.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，第一绝缘层侧壁之上形成有第一绝缘层薄膜，以使第二绝缘层侧壁与第一绝缘层侧壁平滑连接。

15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求11-14任一所述的显示基板。