[发明专利]P型GaN层及LED外延结构的制备方法有效
| 申请号： | 201510372034.8 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105047534B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 冯猛;陈立人;刘恒山 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gan led 外延 结构 制备 方法 | ||
1.一种P型GaN层的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
S01、提供一基底，并放入反应室内，保持反应室内温度在650～800℃之间；
S02、反应室中充入NH3分压在10％～30％之间的包括NH3、N2混合气体的N源，再通入过量的MO源直至富余的MO源吸附在基底表面，所述MO源包括Ga源和Mg源；
S03、保持MO源关闭，增加所述N源中NH3分压至30％～70％与吸附在基底表面的富余MO反应，生长p型GaN层；
S04、保持MO源和NH3关闭，反应室内保持N2气氛10～30秒，使Mg在退火过程中活化。
2.根据权利要求1所述的P型GaN层的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
重复执行步骤S02至S04，循环10～100次，形成20～300nm厚度的p型GaN层。
3.根据权利要求2所述的P型GaN层的制备方法，其特征在于，一次循环中生长p型GaN层的厚度为1～5nm。
4.根据权利要求1所述的P型GaN层的制备方法，其特征在于，步骤S02中NH3、N2混合气体中NH3分压为20％。
5.根据权利要求1所述的P型GaN层的制备方法，其特征在于，步骤S03中NH3、N2混合气体中NH3分压为50％。
6.根据权利要求1所述的P型GaN层的制备方法，其特征在于，所述MO源为TMGa、Cp2Mg。
7.一种LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
S1、提供一衬底；
S2、在衬底上生长GaN缓冲层；
S3、在GaN缓冲层上生长本征GaN层；
S4、在本征GaN层上生长n型GaN层；
S5、在n型GaN层上生长低温InGaN/GaN量子阱层；
S6、在低温InGaN/GaN量子阱层上生长电子阻挡层；
S7、在电子阻挡层上生长P型GaN层，具体包括：
S01、提供一基底，并放入反应室内，保持反应室内温度在650～800℃之间；
S02、反应室中充入NH3分压在10％～30％之间的包括NH3、N2混合气体的N源，再通入过量的MO源直至富余的MO源吸附在基底表面，所述MO源包括Ga源和Mg源；
S03、保持MO源关闭，增加所述N源中NH3分压至30％～70％与吸附在基底表面的富余MO反应，生长p型GaN层；
S04、保持MO源和NH3关闭，反应室内保持N2气氛10～30秒，使Mg在退火过程中活化；
S8、在p型GaN层上生长n型InGaN接触层。
8.根据权利要求7所述的LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S7还包括：
重复执行步骤S02至S04，循环10～100次，形成20～300nm厚度的p型GaN层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
