[发明专利]一种超低衰减大有效面积的单模光纤

权利要求书

1.一种超低衰减大有效面积的单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述芯层的半径R₁为4.5～6.5μm，芯层相对折射率差Δ1为-0.05％～0.10％，芯层外从内向外依次包覆内包层，第一下陷内包层，中间内包层，第二下陷内包层，辅助外包层和外包层，所述内包层的半径R₂为8.5～14μm，相对折射率差Δ2为-0.35％～-0.12％，所述第一下陷内包层的半径R₃为13～22μm，相对折射率差Δ3为-0.7％～-0.30％，中间内包层半径R₄为14～23μm，相对折射率差Δ4为-0.40％～-0.15％；第二下陷内包层半径R₅为18～30μm，相对折射率差Δ5为-0.6％～-0.25％；所述辅助外包层的半径R₆为35～50μm，相对折射率差Δ6为-0.55％～-0.15％；所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。

2.按权利要求1所述的超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述光纤的芯层为锗和氟共掺的二氧化硅玻璃层，或为掺锗的二氧化硅玻璃层，其中芯层锗掺杂的相对折射率贡献量ΔGe为0.02％～0.10％。

3.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于中间内包层半径大于第一下陷内包层半径，且R₄-R₃≥1μm。

4.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述光纤在1550nm波长的有效面积为100～145μm²。

5.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述光纤的成缆截止波长等于或小于1530nm。

6.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述光纤的零色散点小于等于1300nm。

7.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述光纤在波长1550nm处的色散等于或小于23ps/nm*km，所述光纤在波长1625nm处的色散等于或小于27ps/nm*km。

8.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述光纤在波长1550nm处的衰耗等于或小于0.175dB/km，所述光纤在波长1625nm处的衰耗等于或小于0.204dB/km。

9.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述光纤在波长1700nm处的微弯损耗等于或小于3dB/km。

10.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述光纤在波长1550nm处，R15mm弯曲半径弯曲10圈的宏弯损耗等于或小于0.25dB，R10mm弯曲半径弯曲1圈的宏弯损耗等于或小于0.75dB。