[发明专利]一种背面检测式表面增强拉曼散射芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种背面检测式超灵敏SERS芯片的制备方法，其步骤如下：

(1)以二氯甲烷为溶剂，将聚甲基丙烯酸甲酯PMMA配制成质量分数为1.8％～2.2％的聚合物溶液；然后将其悬涂在具有有序结构的AAO模板表面，转速为1400rmp/min～1700rmp/min，每次悬涂20s～25s，共悬涂5～8次，使聚合物渗透到AAO模板表面的孔道内，再将AAO模板在130℃～170℃下加热固化30min～40min，得到厚度为0.2～0.4mm的聚合物层；

(2)将步骤(1)所得的带有聚合物层的AAO模板浸泡在浓度为0.7M～1.0M的氢氧化钠溶液中，时间为15min～20min，除去AAO模板，得到聚合物纳米冠状阵列；

(3)利用蒸发镀膜的方法将具有表面增强活性的金属沉积在聚合物纳米冠阵列上，金属层沉积厚度为15～25nm，所得即为聚合物-金属复合的有序纳米冠阵列SERS基底；

(4)将步骤(3)所得有序纳米冠阵列SERS基底负载在石英片上，即得到背面检测式SERS芯片。

2.如权利要求1所述的一种背面检测式超灵敏SERS芯片的制备方法，其特征在于：AAO模板可采用孔径为100nm～300nm的六方密堆积有序结构，或采用周期间距为500nm的复合有序周期结构，其中，复合有序周期结构的周期单元由中心孔道及周围六个孔道组成，周期单元间以六方密堆积形式排列。

3.如权利要求1所述的一种背面检测式超灵敏SERS芯片的制备方法，其特征在于：具有表面增强活性的金属为金、银、铜或铂。

4.一种背面检测式超灵敏SERS芯片，其特征在于：由权利要求1～3之一所述的方法制备得到。

5.如权利要求4所述的一种背面检测式超灵敏SERS芯片，其特征在于：该芯片采用背面激发和信号收集的方式进行拉曼光谱的检测。