[发明专利]集成电路封装

说明书

本发明实施例公开了一种集成电路，包括：金属层、基底、集成电路芯片和集成电路填充层。其中基底形成于金属层之上，集成电路芯片形成于基底之上，以及集成电路填充层形成于集成电路芯片的周围。其中金属层上具有至少一条第一蚀刻线，用于把金属层分开为多个金属层区域，该至少一条第一蚀刻线在金属层和基底中形成至少一条半切线或至少一条全切线。本发明实施例，通过蚀刻线将金属层分为多个金属层区域，从而能够释放应力，解决脱层问题。

技术领域

本发明涉及集成电路封装技术领域，尤其涉及一种具有应力释放结构的集成电路封装。

背景技术

请参考图1，图1是现有的IC(integrated circuit，集成电路)封装100在回流焊工艺期间的示意图。如图1所示，现有的IC封装100包括：铜层102、基底104、IC芯片106和IC填充层108。如图1所示，在回流焊工艺之后，由于铜层102、基底104和IC芯片106之间大的应力而出现脱层(delamination)问题。并且，由于脱层问题，IC封装100将失败。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种集成电路封装，以解决上述脱层问题。

本发明实施例提供了一种集成电路，包括：金属层，具有至少一条第一蚀刻线，用于把所述金属层分开为多个金属层区域；基底，形成于所述金属层之上；集成电路芯片，形成于所述基底之上；以及集成电路填充层，形成在所述集成电路芯片的周围；其中，所述至少一条第一蚀刻线在所述金属层和所述基底中形成至少一条半切线。

其中，所述至少一条第一蚀刻线形成所述至少一条半切线，以使整个所述金属层分开以及使所述基底的部分分开。

其中，所述集成电路填充层具有至少一条第二蚀刻线，用于把所述集成电路填充层分开为多个区域。

其中，所述至少一条第二蚀刻线形成至少一条半切线，以使所述集成电路填充层的部分分开。

其中，所述金属层为铜层。

本发明实施例提供了一种具有应力释放结构的集成电路封装，包括：金属层，具有至少一条第一蚀刻线，用于把所述金属层分为多个金属层区域；基底，形成于所述金属层之上，其中所述至少一条第一蚀刻线把所述基底分为多个基底区域；集成电路芯片，形成于所述基底之上；以及集成电路填充层，形成在所述集成电路芯片的周围；其中，所述至少一条第一蚀刻线在所述金属层和所述基底中形成至少一条全切线。

其中，所述至少一条第一蚀刻线形成所述至少一条全切线，以使整个所述金属层分开和使整个所述基底分开。

其中，进一步包括：至少一条接合线，耦接在分开的所述基底区域之间。

其中，所述集成电路填充层具有至少一条第二蚀刻线，用于把所述集成电路填充层分开为多个区域。

其中，所述至少一条第二蚀刻线形成至少一条半切线，以使得所述集成电路填充层的部分分开。

本发明实施例的有益效果是：

本发明实施例，由蚀刻线将金属层分开为多个小的金属层区域，从而释放应力，以解决回流焊工艺期间，IC封装的脱层问题。

附图说明

图1是现有的IC封装在回流焊工艺期间的示意图；

图2是根据本发明第一实施例的简化了的具有应力释放结构的IC封装的横截面示意图；

图3是根据本发明第一实施例的简化了的具有应力释放结构的IC封装的仰视图；

图4是根据本发明第二实施例的简化了的具有应力释放结构的IC封装的横截面示意图；

图5是根据本发明第二实施例的简化了的具有应力释放结构的IC封装的仰视图；