[发明专利]一种掩膜版用清洗剂、其应用以及掩膜版的清洗方法

说明书

本发明涉及一种掩膜版用清洗剂、其应用以及掩膜版的清洗方法，按重量百分比计，清洗剂的原料配方为：无机碱1%~30%；分散剂0.1%~10%；渗透剂0.001%~5%；水55%~98.899%。本发明的清洗剂可在室温下，仅需要3~5分钟将待清洗的掩膜版表面光刻胶及亚克力胶完全去除，除胶效果上远远优于现有技术最好水平；本发明的清洗剂体系为碱性介质，与酸性体系比较，清洗设备的材质的选择范围更宽；本发明的清洗剂没有选用常规的有机极性和非极性溶剂，而是通过选用无机碱、分散剂与渗透剂的巧妙设计搭配，不仅去胶效果极好，而且废液的COD值小于200，清洗剂更加环保。

技术领域

本发明涉及一种掩膜版用清洗剂、其应用以及掩膜版的清洗方法。

背景技术

光掩膜用于芯片制造，主要用于IC芯片、TFT-LCD、OLED等电子行业。光掩膜所起的作用类似于底片之于相片，图形通过掩膜版在芯片上多次曝光、显影，得到需要的光刻胶图案。掩膜版在多次曝光中出现光刻胶等脏污，必须完全洗净。

申请号为201310119808.7的中国专利提供了一种简易清洗掩膜版的方法，该发明使用浓硫酸和双氧水清洗，众所周知，浓硫酸与双氧水配制过程中反应剧烈，十分危险，且后段对清洗设备材质有极高的要求；同时该专利需要在100℃以上浸泡数十分钟，清洗温度过高，时间过长。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种可大规模清洗光掩膜版且环保的清洗剂，该清洗剂在温和的温度条件下进行短时间清洗即可完全去除掩膜版表面的残胶。

为解决上述技术问题，本发明采取如下技术方案：

一种掩膜版用清洗剂，按重量百分比计，所述的清洗剂的原料配方为：

优选地，按重量百分比计，所述的清洗剂的原料配方为：

进一步优选地，按重量百分比计，所述的清洗剂的原料配方为：

优选地，所述的无机碱为选自碳酸钠、碳酸钾、硅酸钠、氢氧化钠、氢氧化钾中的任意一种或多种的组合。

优选地，所述的分散剂为选自润湿分散剂、分散剂AP、分散剂AR、聚羧酸类阻垢分散剂中的任意一种或多种的组合。

优选地，所述的渗透剂为选自渗透剂JFC、快速渗透剂T、耐碱渗透剂OEP-70、渗透剂OE-35、低泡渗透剂SF中的任意一种或多种的组合。

一种所述的掩膜版用清洗剂在掩膜版的清洗中的应用。

一种所述的掩膜版用清洗剂在去除掩膜版表面的残胶中的应用。

一种采用所述的清洗剂对掩膜版进行清洗的清洗方法，在0℃～40℃下，用所述的清洗剂对待清洗的掩膜版进行浸泡清洗、喷淋清洗或超声清洗3～5分钟，得到清洗后的掩膜版。

优选地，在20℃～30℃下进行所述的清洗。

优选地，在采用所述的清洗剂对所述的待清洗的掩膜版进行清洗后，用水进行进一步清洗，清洗完成后用氮气吹干即得所述的清洗后的掩膜版。

由于以上技术方案的实施，本发明与现有技术相比具有如下优势：

本发明的清洗剂可在室温下，仅需要3～5分钟将待清洗的掩膜版表面光刻胶及亚克力胶完全去除，除胶效果上远远优于现有技术最好水平；本发明的清洗剂体系为碱性介质，与酸性体系比较，清洗设备的材质的选择范围更宽；本发明的清洗剂没有选用常规的有机极性和非极性溶剂，而是通过选用无机碱、分散剂与渗透剂的巧妙设计搭配，不仅去胶效果极好，而且废液的COD值小于200，清洗剂更加环保。