[发明专利]嵌入式图像传感器封装及其制造方法有效
申请号: | 201510349030.8 | 申请日: | 2015-06-23 |
公开(公告)号: | CN105742301B | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 李相龙;李昇铉 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;宋教花 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 嵌入式 图像传感器 封装 及其 制造 方法 | ||
本发明提出了一种嵌入式图像传感器封装及其制造方法。本发明的嵌入式图像传感器封装包括:核心层,所述核心层中具有凹处;图像传感器芯片,所述图像传感器芯片设置在所述凹处中并且具有上表面,在所述上表面上设置有光接收器和连接构件;第一绝缘层,所述第一绝缘层设置在所述核心层的上表面和所述图像传感器芯片的上表面上,并且具有开口,所述开口限定包含所述光接收器的光接收区域;保护层,所述保护层设置在所述光接收器以及所述第一绝缘层之间以包围所述光接收器;以及透光层,所述透光层设置在所述光接收器上。所述保护层沿着所述光接收区域的边缘设置。
相关申请的交叉参考
本申请主张2014年12月29日于韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2014-0191648的优先权,通过引用将该韩国专利申请整体并入本文,如同进行了完整地阐述。
技术领域
本公开的实施例涉及嵌入式封装及其制造方法,并且更具体地,涉及嵌入式图像传感器封装及其制造方法。
背景技术
图像传感器是接收光来产生电子并且将电子转换成图像信号的器件。这些图像传感器广泛用于数字摄像机、数字摄录机、各种便携设备等。图像传感器可包含电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。CMOS图像传感器可以容易地与信号处理电路一起集成在单芯片上,由此使包含CMOS图像传感器的产品能够缩小。此外,CMOS图像传感器可以以低功率消耗来工作。因此,CMOS图像传感器已经在便携式电子设备中被广泛使用。
包含图像传感器的封装(下文称为图像传感器封装)可以按芯片级封装(CSP)形式或按板上芯片(COB)封装形式来提供。CSP可以对应于晶圆级封装,并且COB封装可以通过将图像传感器安装在印刷电路板(PCB)上来实现。晶圆级图像传感器封装可以以晶圆为单位来提供。因此,降低晶圆级图像传感器封装的制造成本可能存在限制。近来,已经提出嵌入式图像传感器封装来降低其制造成本。嵌入式图像传感器封装可以以面板或基板为单位来提供,面板或基板中的每一个具有的面积至少是晶圆面积的两倍。因此,可以增加嵌入式图像传感器封装的产量。
发明内容
各实施例是针对嵌入式图像传感器封装及其制造方法。
根据一实施例,提供了一种嵌入式图像传感器封装。所述嵌入式图像传感器封装包括:核心层,所述核心层中具有凹处;图像传感器芯片,所述图像传感器芯片设置在所述凹处中并且具有上表面,在所述上表面上设置有光接收器和连接构件;第一绝缘层,所述第一绝缘层设置在所述核心层的上表面和所述图像传感器芯片的上表面上,并且具有开口,所述开口限定包含所述光接收器的光接收区域;保护层,所述保护层设置在所述光接收器以及所述第一绝缘层之间以包围所述光接收器;以及透光层,所述透光层设置在所述光接收器上。所述保护层沿着所述光接收区域的边缘设置。
根据另一实施例,提供了一种制造嵌入式图像传感器封装的方法。所述方法包括:提供图像传感器芯片,所述图像传感器芯片具有上表面,在所述上表面上设置有光接收器;形成金属掩模,所述金属掩模被设置为覆盖设置在所述图像传感器芯片的上表面上的光接收器和连接构件的上表面和侧壁;以及将所述图像传感器芯片插到核心层的凹处中。绝缘层形成在所述核心层上以覆盖所述图像传感器芯片。所述绝缘层被形成为具有开口,所述开口限定包含所述光接收器的光接收区域。电路图案形成在所述绝缘层的上表面上。保护层形成在所述绝缘层的沿着所述光接收区域的边缘露出的内侧壁上。在形成所述保护层之后移除所述金属掩模,以露出所述光接收器。透光层形成在露出的光接收器上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的