[发明专利]功率器件及其制造方法

权利要求书

1.一种功率器件，包括：

第一场阑层，所述第一场阑层具有第一导电类型并且由半导体基板形成，所述第一场阑层的杂质浓度为所述半导体基板的杂质浓度；

第一漂移区，所述第一漂移区通过外延生长形成于所述半导体基板的前表面上，并具有呈低于所述第一场阑层的杂质浓度的所述第一导电类型；

掩埋区，所述掩埋区形成于所述第一漂移区上，并具有呈高于所述第一漂移区的杂质浓度的所述第一导电类型；

第二漂移区，所述第二漂移区形成于所述掩埋区上并且具有比所述掩埋区的杂质浓度低的杂质浓度；

功率器件单元，所述功率器件单元形成于所述第二漂移区的上部处；

集电极区，所述集电极区形成于所述第一场阑层的下方；以及

第二场阑层，所述第二场阑层具有所述第一导电类型，所述第二场阑层的的杂质浓度高于所述第一场阑层的杂质浓度，所述第二场阑层设置在所述第一场阑层与所述第一漂移区之间，

所述掩埋区的杂质浓度具有最大杂质浓度，所述最大杂质浓度满足：低于所述第一场阑层的杂质浓度和/或低于所述第二场阑层的杂质浓度；所述第一漂移区和所述第二漂移区各自具有在深度方向上恒定的杂质浓度分布。

2.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述第二场阑层具有高于所述掩埋区的杂质浓度。

3.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述第二场阑层具有这样的杂质浓度：所述杂质浓度从所述第一场阑层增加至达到最大杂质浓度，并且然后向所述第一漂移区降低。

4.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述第一漂移区通过在所述第二场阑层上外延生长形成。

5.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述第二场阑层是通过离子注入工艺形成以使得所述杂质浓度高于所述第一场阑层。

6.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述第二场阑层包括处于相同水平的第一区和第二区，所述第一区具有第一杂质浓度，所述第二区具有高于所述第一杂质浓度的第二杂质浓度。

7.根据权利要求6所述的功率器件，其中，所述第二区的平均杂质浓度高于所述第一区的平均杂质浓度。

8.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述第二漂移区具有所述第一导电类型。

9.根据权利要求6所述的功率器件，其中，所述第一漂移区和所述第二漂移区的杂质浓度基本相同。

10.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述第二漂移区包括第一导电类型柱和第二导电类型柱，它们各自通过在所述掩埋区上沿垂直方向延伸并在水平方向上呈交替布置形成，并且

所述第一导电类型柱具有低于所述掩埋区的杂质浓度。

11.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述掩埋区包括第一区和与所述第一区相邻的第二区，其中所述第一区具有从所述第一漂移区增加的杂质浓度，所述第二区具有向所述第二漂移区降低的杂质浓度。

12.根据权利要求11所述的功率器件，其中，所述掩埋区具有这样的杂质浓度分布：在所述杂质浓度分布中，所述第一漂移区和所述第二漂移区关于具有最大杂质浓度的部分呈对称形状。

13.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述第一场阑层具有在深度方向上恒定的杂质浓度分布。

14.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述集电极区具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型。

15.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述第二漂移区的厚度值大于所述第一漂移区的厚度值。