[发明专利]一种光刻胶、量子点层图案化的方法及QLED、量子点彩膜和显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种光刻胶、量子点层图案化的方法及QLED、量子点彩膜和显示装置。

背景技术

量子点(Quantum Dot，QD)又可称为纳米晶，是一种由II-VI族或III-V族元素组成的纳米颗粒，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构，受激后可以发射荧光，其发光光谱可以通过改变量子点的尺寸大小来控制，荧光强度和稳定性都很好，是一种很好的电致发光材料。

目前，量子点作为一种显示材料已经被广泛使用在了显示领域，例如，利用量子点作为发光材料用于发光层制造出的量子点发光二极管(QLED)。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题：由于量子点并不是小分子有机材料，因此目前没有适合量产的量子点图案化手段。如图1所示，现有方法包括在基板1上涂布光刻胶2并曝光后，再在上述基板1上涂布整层的量子点3，其中基板1的无光刻胶2处的量子点3是需要保留的；但由于量子点3与光刻胶2的结合力较强，故此时如果直接清洗光刻胶2上的量子点3，则基板1无光刻胶2处的也被洗掉；又由于量子点3是完整的层，如果此时直接剥离光刻胶2，则光刻胶2在量子点3之下，无法与剥离液接触，剥离不了。

同时，也无法通过蒸镀方式和喷墨方式进行图案化；目前行业普遍接受的方法是转印法，但该方法很不成熟，工艺难度极大，目前均未量产，另外转印设备的供应商也很少，因此制约了QLED 的发展。

发明内容

本发明针对现有的图案化的方法破坏量子点的问题，提供一种量子点层图案化的方法。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是：

一种量子点层图案化的方法，包括以下步骤：

在基板上形成光刻胶材料层的步骤，对光刻胶进行构图的步骤，对光刻胶进行亲水处理的步骤；

涂布量子点的步骤；

除去剩余光刻胶上的量子点的步骤；

剥离光刻胶的步骤。

其中，在基板上形成光刻胶材料层的步骤，对光刻胶进行构图的步骤，对光刻胶进行亲水处理的步骤，步骤不限定先后顺序；

对光刻胶进行亲水处理的步骤可以在在基板上形成光刻胶材料层之后构图之前进行，也可以在形成光刻胶材料层并构图之后进行。

优选的，所述对光刻胶进行亲水处理的步骤在形成光刻胶材料层的步骤之前进行；所述在基板上形成光刻胶材料层的步骤和对光刻胶进行亲水处理的步骤包括：

将光刻胶与亲水性二醛混合得到含有亲水基团的亲水性光刻胶；

在基板上形成上述亲水性光刻胶材料层之后进行构图。

优选的，所述亲水性光刻胶中亲水性二醛含量为1-20wt％。

优选的，所述对光刻胶进行亲水处理的步骤在形成光刻胶材料层的步骤之后进行；对光刻胶进行亲水处理的步骤包括：

调节含酸的亲水性二醛水溶液，所述亲水性二醛中含有亲水基团；

将形成光刻胶材料层的基板浸泡于上述水溶液中；

将基板加热，光刻胶表面形成亲水基团。

优选的，所述酸选自草酸、马来酸、马来酸酐、乙酸、三氯乙酸、苯磺酸、酒石酸、柠檬酸、消旋苹果酸中的一种或几种。

优选的，所述亲水性二醛水溶液质量浓度为3～20％、pH为2～5.5。

优选的，所述浸泡的时间为5～30min。

优选的，所述将基板加热包括：在90～160℃的温度下加热5～60min。

优选的，所述亲水性二醛结构式为：

其中R为亲水基团，n₁为0或正整数，n₂为正整数，n₃为0或正整数，n₄为正整数，并且(n₁+n₂+n₃)*n₄＝3～10。

优选的，所述亲水基团包括羧基、羧盐、羟基、氨基、季铵盐、酯基、酰肼基、酰胺基或磺酸基中的一种或几种。

优选的，所述光刻胶包括酚醛树脂。

优选的，在基板上形成光刻胶材料层的步骤之前还包括：对所述基板进行量子点锚定力处理的步骤。

本发明提供一种亲水性二醛的制备方法，2-乙醇-己二醛的合成：以3-环己烯-1-甲醇(CAS：1679-51-2)为原料，经过三步反应生成亲水性二醛2-乙醇-己二醛，反应过程如下：