[发明专利]一种光刻胶、量子点层图案化的方法及QLED、量子点彩膜和显示装置

权利要求书

1.一种量子点层图案化的方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基板上形成光刻胶材料层的步骤，对光刻胶进行构图的步骤，对光刻胶进行亲水处理的步骤；

涂布量子点的步骤；

除去剩余光刻胶上的量子点的步骤；

剥离光刻胶的步骤。

2.根据权利要求1所述的量子点层图案化的方法，其特征在于，所述对光刻胶进行亲水处理的步骤在形成光刻胶材料层的步骤之前进行；所述在基板上形成光刻胶材料层的步骤和对光刻胶进行亲水处理的步骤包括：

将光刻胶与亲水性二醛混合得到含有亲水基团的亲水性光刻胶；

在基板上形成上述亲水性光刻胶材料层之后进行构图。

3.根据权利要求2所述的量子点层图案化的方法，其特征在于，所述亲水性光刻胶中亲水性二醛含量为1-20wt％。

4.根据权利要求1所述的量子点层图案化的方法，其特征在于，所述对光刻胶进行亲水处理的步骤在形成光刻胶材料层的步骤之后进行；对光刻胶进行亲水处理的步骤包括：

调节含酸的亲水性二醛水溶液，所述亲水性二醛中含有亲水基团；

将形成光刻胶材料层的基板浸泡于上述水溶液中；

将基板加热，光刻胶表面形成亲水基团。

5.根据权利要求4所述的量子点层图案化的方法，其特征在于，所述酸选自草酸、马来酸、马来酸酐、乙酸、三氯乙酸、苯磺酸、酒石酸、柠檬酸、消旋苹果酸中的一种或几种。

6.根据权利要求4所述的量子点层图案化的方法，其特征在于，所述亲水性二醛水溶液质量浓度为3～20％、pH为2～5.5。

7.根据权利要求4所述的量子点层图案化的方法，其特征在于，所述浸泡的时间为5～30min。

8.根据权利要求4所述的量子点层图案化的方法，其特征在于，所述将基板加热包括：在90～160℃的温度下加热5～60min。

9.根据权利要求2或4所述的量子点层图案化的方法，其特征在于，所述亲水性二醛结构式为：

其中R为亲水基团，n₁为0或正整数，n₂为正整数，n₃为0或正整数，n₄为正整数，并且(n₁+n₂+n₃)*n₄＝3～10。

10.根据权利要求2或4所述的量子点层图案化的方法，其特征在于，所述亲水基团包括羧基、羧盐、羟基、氨基、季铵盐、酯基、酰肼基、酰胺基、磺酸基中的一种或几种。

11.根据权利要求1所述的量子点层图案化的方法，其特征在于，所述光刻胶包括酚醛树脂。

12.根据权利要求1所述的量子点层图案化的方法，其特征在于，在形成所述光刻胶材料层的步骤之前还包括：对所述基板进行量子点锚定力处理的步骤。

13.一种量子点层图案化用光刻胶，其特征在于，所述量子点层图案化用光刻胶含有亲水基团；

所述量子点层图案化用光刻胶由包括以下步骤的方法制成：

将光刻胶与亲水性二醛混合得到含有亲水基团的亲水性光刻胶；

在基板上形成上述亲水性光刻胶材料层之后进行构图；

或者

调节含酸的亲水性二醛水溶液，所述亲水性二醛中含有亲水基团；

将形成有光刻胶材料层的基板浸泡于上述水溶液中；

将基板加热，光刻胶表面形成亲水基团。

14.一种量子点发光二极管，包括发光层，其特征在于，所述发光层包括权利要求1-12任一项所述的量子点层图案化的方法制备的量子点层；所述量子点发光二极管还包括阴极、阳极，以及阴极与阳极之间的电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、空穴传输层和空穴注入层；所述的量子点层图案化的方法制备的量子点层作为发光层设于空穴阻挡层与空穴传输层之间。

15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求14中所述的QLED。