[发明专利]有机发光二极管封装方法和封装结构及具有该结构的器件在审
| 申请号: | 201510333965.7 | 申请日: | 2015-06-16 |
| 公开(公告)号: | CN105098099A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
| 发明(设计)人: | 罗程远;王俊然 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴敬莲 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光二极管 封装 方法 结构 具有 器件 | ||
1.一种有机发光二极管的封装方法,包括:
设置第一基板,所述第一基板由金属箔制成;
在第一基板上设置有机发光二极管;
设置钝化层,用于覆盖所述有机发光二极管;
在整个所述第一基板上涂覆封装胶,所述封装胶覆盖所述钝化层;
至少在所述封装胶的覆盖所述钝化层的部分上设置第二透明基板;和
固化封装胶,形成所述有机发光二极管的封装。
2.根据权利要求1所述的封装方法,其中,所述第二透明基板的主表面的面积小于所述第一基板的主表面的面积,所述封装方法还包括:在固化封装胶之前,折叠所述第一基板的至少一个边缘以及设置在其上的封装胶,使其包覆所述第二透明基板的相应的边缘。
3.根据权利要求1或2所述的封装方法,其中,所述金属箔为具有低的热膨胀系数的不锈钢箔、Invar合金或Kovar合金。
4.根据权利要求3所述的封装方法,其中,所述第一基板的厚度为50μm-100μm。
5.根据权利要求2所述的封装方法,其中,折叠所述第一基板的至少一个边缘和设置在其上的封装胶,使其包覆所述第二透明基板的相应的边缘的所述步骤包括:折叠所述第一基板的至少一个边缘和设置在其上的封装胶至所述第二透明基板上且在所述第二透明基板的不用作发光区域的区域范围内,封装胶设置在所述第一基板的被折叠的至少一个边缘与所述第二透明基板之间。
6.根据权利要求5所述的封装方法,其中,所述第一基板的被折叠的至少一个边缘距离所述第二透明基板的相应的被包覆的边缘的距离为0mm-1mm。
7.根据权利要求1或2所述的封装方法,还包括:在所述有机发光二极管与所述第一基板之间设置平坦层。
8.根据权利要求7所述的封装方法,其中所述平坦层是厚度为0.1μm-1μm的SiNx、SiCN或SiO2薄膜,或者是厚度为0.5μm-1μm的塑料薄膜。
9.根据权利要求1或2所述的封装方法,还包括:在所述第二透明基板的相应的被包覆的边缘处设置干燥剂或吸水剂。
10.根据权利要求2所述的封装方法,其中,折叠所述第一基板的至少一个边缘以及设置在其上的封装胶,使其包覆所述第二透明基板的相应的边缘的所述步骤包括:折叠所述第一基板的两个相对的边缘以及设置在其上的封装胶,使其包覆所述第二透明基板的相应的两个边缘。
11.一种有机发光二极管封装结构,包括:
金属箔制成的第一基板;
设置在所述第一基板上的有机发光二极管;
覆盖所述有机发光二极管的钝化层;
设置在整个所述第一基板上的封装胶,所述封装胶覆盖所述钝化层;和
第二透明基板,所述第二透明基板至少设置在所述封装胶的覆盖所述钝化层的部分上。
12.根据权利要求11所述的有机发光二极管封装结构,其中,所述第二透明基板的主表面的面积小于所述第一基板的主表面的面积,并且所述第一基板的至少一个边缘连同设置在其上的封装胶被折叠包覆所述第二透明基板的相应的边缘。
13.根据权利要求11或12所述的有机发光二极管封装结构,其中,所述金属箔为具有低的热膨胀系数的不锈钢箔、Invar合金或Kovar合金。
14.根据权利要求11或12所述的有机发光二极管封装结构,其中,所述第一基板的厚度为50μm-100μm。
15.根据权利要求12所述的有机发光二极管封装结构,其中,所述第一基板的被折叠的边缘位于所述第二透明基板上且在所述第二透明基板的不用作发光区域的区域范围内,封装胶设置在所述第一基板的被折叠的至少一个边缘与所述第二透明基板之间。
16.根据权利要求15所述的有机发光二极管封装结构,其中,所述第一基板的被折叠的边缘距离所述第二透明基板的相应的被包覆的边缘的距离为0mm-1mm。
17.根据权利要求11或12所述的有机发光二极管封装结构,其中,平坦层设置在所述有机发光二极管与所述第一基板之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





