[发明专利]低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板

权利要求书

1.一种低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板(1)，在基板(1)上沉积缓冲层(2)；

步骤2、在缓冲层(2)上沉积一层导热绝缘薄膜，并对该导热绝缘薄膜进行图案化处理，得到导热绝缘层(3)；

步骤3、在缓冲层(2)上沉积非晶硅层(4)，所述非晶硅层(4)完全覆盖所述导热绝缘层(3)；

步骤4、采用离子植入技术在非晶硅层(4)内植入硼离子，再对非晶硅层(4)进行快速热退火处理，使非晶硅结晶成多晶硅，然后通过蚀刻工艺蚀刻掉结晶过程中从多晶硅表面析出的导电层，得到多晶硅层(5)；

步骤5、对多晶硅层(5)进行图案化处理，形成多晶硅半导体层(50)；

步骤6、在所述多晶硅半导体层(50)上涂布光阻，通过对所述光阻进行曝光、显影，得到位于所述多晶硅半导体层(50)上的光阻层(55)，暴露出所述多晶硅半导体层(50)的两端区域；以所述光阻层(55)为遮蔽层，对所述多晶硅半导体层(50)的两端区域通过离子植入技术植入硼离子，形成源/漏极接触区(51)；

步骤7、剥离所述光阻层(55)，在多晶硅半导体层(50)上依次形成栅极绝缘层(6)、栅极(7)、层间绝缘层(8)、源/漏极(9)，所述源/漏极(9)与多晶硅半导体层(50)两端的源/漏极接触区(51)相接触。

2.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，所述缓冲层(2)的材料为SiNx、SiOx、或二者的组合。

3.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，通过黄光、蚀刻制程对所述导热绝缘薄膜进行图案化处理；所述导热绝缘层(3)的材料为Al₂O₃；所述导热绝缘层(3)的厚度为30-50nm。

4.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3中，所述非晶硅层(4)的厚度为200-300nm。

5.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤4中，快速热退火处理的温度为650℃-700℃，时间为15-25分钟；蚀刻掉多晶硅表面上析出的导电层的厚度为100-150nm。

6.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤5中，通过黄光、蚀刻制程对多晶硅层(5)进行图案化处理；所述导热绝缘层(3)的图形与所述多晶硅半导体层(50)的图形相对应。

7.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤7中，所述栅极绝缘层(6)的材料为SiOx。

8.一种根据权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法所制作的低温多晶硅TFT基板，其特征在于，包括基板(1)、设于所述基板(1)上的缓冲层(2)、设于所述缓冲层(2)上的导热绝缘层(3)、设于所述导热绝缘层(3)上的多晶硅半导体层(50)、设于所述缓冲层(2)上覆盖所述导热绝缘层(3)与多晶硅半导体层(50)的栅极绝缘层(6)、设于所述栅极绝缘层(6)上的栅极(7)、设于所述栅极绝缘层(6)上覆盖所述栅极(7)的层间绝缘层(8)、及设于所述层间绝缘层(8)上的源/漏极(9)；

所述多晶硅半导体层(50)的两端区域为植入硼离子的源/漏极接触区(51)；所述栅极绝缘层(6)、及层间绝缘层(8)上对应所述源/漏极接触区(51)上方分别设有过孔(91)；所述源/漏极(9)分别经由所述过孔(91)与所述源/漏极接触区(51)相接触。

9.如权利要求8所述的低温多晶硅TFT基板，其特征在于，所述缓冲层(2)的材料为SiNx、SiOx、或二者的组合；所述导热绝缘层(3)的材料为Al₂O₃；所述栅极绝缘层(6)的材料为SiOx。

10.如权利要求8所述的低温多晶硅TFT基板，其特征在于，所述导热绝缘层(3)的厚度为30-50nm；所述导热绝缘层(3)的图形与所述多晶硅半导体层(50)的图形相对应。