[发明专利]一种光电子器件及光电子器件的制备方法有效
申请号: | 201510330807.6 | 申请日: | 2015-06-15 |
公开(公告)号: | CN105098081B | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 孔超 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光电子 器件 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及光电子技术领域,尤其涉及一种光电子器件及光电子器件的制备方法。
背景技术
目前,有机太阳能电池日益被人们所重视,其制备工艺简单,器件结构简单,必将在太阳能领域有更加广阔的应用。在光照条件下,太阳能电池活性层的电子下被从HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital,最高已占轨道)能级跃迁到LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital,最低已占轨道)能级,产生电子-空穴对(即形成激子)。激子在内建电场的作用下被分离为电子和空穴,分离后的电子和空穴分别被传导到阴级和阳极上,生产电能为用电设备供电。
现有太阳能电池活性层中的激子没有全部解离,复合成激子的电子、空穴无法积聚到电极表面,因此,导致太阳能电池的放电效率也会受到影响。
发明内容
本发明实施例提供一种光电子器件及光电子器件的制备方法,能够促进太阳能电池活性层的激子解离,产生更多的电子、空穴,进而提高太阳能电池的放电效率。
为达到上述目的,本发明实施例采用的技术方案是,
第一方面,提供一种光电子器件,包括:
光电池,所述光电池包括:相对设置的第一电极和第二电极、以及位于所述第一电极和第二电极之间的活性层;
第三电极,所述第三电极位于所述第一电极远离所述第二电极的一侧;
位于所述第三电极和所述第一电极之间的绝缘层;
其中,所述第二电极与所述第三电极极性相同,所述第二电极与所述第一电极极性相反;且所述第三电极与所述第一电极间存在电压。
结合第一方面,在第一方面的第一种可能的实现方式,还包括:电源,所述电源与所述第一电极和所述第三电极相连,使得所述第一电极与所述第三电极间存在电压。
结合第一方面的第一种可能的实现方式,在第一方面的第二种可能的实现方式,还包括:设置于所述活性层与所述第一电极之间的第一缓冲层以及设置于所述活性层与所述第二电极之间的第二缓冲层。
结合第一方面或第一方面的第一或第二种可能的实现方式,在第二方面的第三种可能的实现方式中,所述第一电极为阴极,所述第二电极、所述第三电极均为阳极。
结合第一方面的第三种可能的实现方式,在第二方面的第四种可能的实现方式中,阳极材料为铜、氧化铟锡ITO、SnO2、ZnO、FTO、AZO中的一种;阴极材料为镁铝合金、镁银合金、PEDOT:PSS中的一种。
结合第一方面,在第二方面的第五种可能的实现方式中,所述绝缘层的材料为SiO2、SiO、Si3N4、TiO、Ta2O5、LiF、PVP、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA中的一种。
结合第一方面的第二种可能的实现方式,在第二方面的第六种可能的实现方式中,若所述第一电极为阳极,所述第二电极为阴极;则所述第一缓冲层为阳极缓冲层,所述第二缓冲层为阴极缓冲层;
若所述第一电极为阴极,所述第二电极为阳极;则所述第一缓冲层为阴极缓冲层,所述第二缓冲层为阳极缓冲层。
结合第一方面的第六种可能的实现方式,在第二方面的第七种可能的实现方式中,所述阳极缓冲层的材料为PEDOT:PSS、MoO3、V2O5中的一种;所述阴极缓冲层的材料为LiF、Liq、CsCO3、C60、C70中的一种。
第二方面,公开了一种光电子器件的制备方法,包括:
在衬底基板上形成第二电极;
在形成有所述第二电极的衬底基板上依次形成活性层、第一电极以及绝缘层;
在形成有所述绝缘层的衬底基板上形成第三电极;
其中,所述第二电极与所述第三电极极性相同,所述第二电极与所述第一电极极性相反。
结合第二方面,在第二方面的第一种可能的实现方式中,在形成所述活性层之前,所述方法还包括:
在形成有所述第二电极的衬底基板上形成第二缓冲层;
在形成所述活性层之后,所述方法还包括:
在形成有所述活性层的衬底基板上形成第二缓冲层。
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