[发明专利]一种光电子器件及光电子器件的制备方法

权利要求书

1.一种光电子器件，其特征在于，包括：

光电池，所述光电池包括：相对设置的第一电极和第二电极、以及位于所述第一电极和第二电极之间的活性层；

第三电极，所述第三电极位于所述第一电极远离所述第二电极的一侧；

位于所述第三电极和所述第一电极之间的绝缘层；

其中，所述第二电极与所述第三电极极性相同，所述第二电极与所述第一电极极性相反；

还包括：电源，所述电源与所述第一电极和所述第三电极相连，使得所述第一电极与所述第三电极间存在电压；

所述第一电极为阴极，所述第二电极、所述第三电极均为阳极；或者，所述第一电极为阳极，所述第二电极、所述第三电极均为阴极。

2.根据权利要求1所述的光电子器件，其特征在于，还包括：设置于所述活性层与所述第一电极之间的第一缓冲层以及设置于所述活性层与所述第二电极之间的第二缓冲层。

3.根据权利要求1所述的光电子器件，其特征在于，所述阳极的材料为铜、氧化铟锡ITO、SnO₂、ZnO、FTO、AZO中的一种；所述阴极的材料为镁铝合金、镁银合金、PEDOT:PSS中的一种。

4.根据权利要求1所述的光电子器件，其特征在于，所述绝缘层的材料为SiO₂、SiO、Si₃N₄、TiO、Ta₂O₅、LiF、PVP聚甲基丙烯酸甲酯PMMA中的一种。

5.根据权利要求2所述的光电子器件，其特征在于，若所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极；则所述第一缓冲层为阳极缓冲层，所述第二缓冲层为阴极缓冲层；

若所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极；则所述第一缓冲层为阴极缓冲层，所述第二缓冲层为阳极缓冲层。

6.根据权利要求5所述的光电子器件，其特征在于，所述阳极缓冲层的材料为PEDOT:PSS、MoO₃、V₂O₅中的一种；所述阴极缓冲层的材料为LiF、Liq、CsCO₃、C₆₀、C₇₀中的一种。

7.一种光电子器件的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成第二电极；

在形成有所述第二电极的衬底基板上依次形成活性层、第一电极以及绝缘层；

在形成有所述绝缘层的衬底基板上形成第三电极；

其中，所述第二电极与所述第三电极极性相同，所述第二电极与所述第一电极极性相反；

还包括形成电源与所述第一电极和所述第三电极相连，使得所述第一电极与所述第三电极间存在电压；

所述第一电极为阴极，所述第二电极、所述第三电极均为阳极；或者，所述第一电极为阳极，所述第二电极、所述第三电极均为阴极。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在形成所述活性层之前，所述方法还包括：

在形成有所述第二电极的衬底基板上形成第二缓冲层；

在形成所述活性层之后，所述方法还包括：

在形成有所述活性层的衬底基板上形成第一缓冲层。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述阳极的材料为铜、氧化铟锡ITO、SnO₂、ZnO、FTO、AZO中的一种；所述阴极的材料为镁铝合金、镁银合金、PEDOT:PSS中的一种。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为SiO₂、SiO、Si₃N₄、TiO、Ta₂O₅、LiF、PVP、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA中的一种。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，若所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极；则所述第一缓冲层为阳极缓冲层，所述第二缓冲层为阴极缓冲层；

若所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极；则所述第一缓冲层为阴极缓冲层，所述第二缓冲层为阳极缓冲层。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述阳极缓冲层的材料为PEDOT:PSS、MoO₃、V₂O₅中的一种；所述阴极缓冲层的材料为LiF、Liq、CsCO₃、C₆₀、C₇₀中的一种。