[发明专利]霍尔传感器在审
| 申请号： | 201510330421.5 | 申请日： | 2015-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN105185900A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 福中敏昭;笠松新 | 申请（专利权）人： | 旭化成微电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/10;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 霍尔 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种霍尔传感器，具备：
GaAs霍尔元件，其具备GaAs衬底、设置在上述GaAs衬底上的感磁部、设置在上述GaAs衬底上的多个电极部、以及设置在上述GaAs衬底的与设置有上述多个电极部的面相反一侧的面侧的保护层；
多个引线端子，其配置在上述GaAs霍尔元件的周围；
导电性连接构件，其将上述多个电极部与上述多个引线端子分别电连接；以及
模制构件，其对上述GaAs霍尔元件、上述多个引线端子以及上述导电性连接构件进行模制，
其中，在将上述多个引线端子所具有的多个面中的、同与上述导电性连接构件连接的面相反一侧的面作为上述多个引线端子的第一面时，上述保护层和上述多个引线端子的上述第一面从上述模制构件的同一面露出，
上述GaAs衬底的电阻率为5.0×107Ω·cm以上，厚度为0.1mm以下。
2.根据权利要求1所述的霍尔传感器，其特征在于，
上述GaAs衬底中的受主杂质的浓度为1.5×1015atoms·cm-3以上且1.0×1016atoms·cm-3以下。
3.根据权利要求2所述的霍尔传感器，其特征在于，
上述受主杂质是碳。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的霍尔传感器，其特征在于，
上述保护层包含绝缘体。
5.根据权利要求1～3中的任一项所述的霍尔传感器，其特征在于，
上述GaAs衬底的电阻率为1.0×109Ω·cm以下。
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