[发明专利]一种测量高超声速流动中表面热流率的集成薄膜传感器在审
申请号: | 201510324489.2 | 申请日: | 2015-06-12 |
公开(公告)号: | CN104931229A | 公开(公告)日: | 2015-09-23 |
发明(设计)人: | 李素循;师军;皇甫根环;马继魁 | 申请(专利权)人: | 中国航天空气动力技术研究院 |
主分类号: | G01M9/06 | 分类号: | G01M9/06 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 史霞 |
地址: | 100074 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 测量 高超 声速 流动 表面 热流 集成 薄膜 传感器 | ||
技术领域
本发明涉及流动测量技术领域,尤其涉及一种测量高超声速流动中表面热流率的集成传感器。
背景技术
传感器的设计、制作技术是风洞测热技术中最为关键的环节之一。测量瞬时表面热流率的传感器按工作原理可以分为两大类:表面温度计类及量热计类。前者利用表面温度计测出半无限体的表面温度随时间变化的历史,然后按照热传导理论计算表面热流率。后者是利用量热元件吸收传入其中的热量,测量量热元件的平均温度变化率再计算表面热流率。
目前在激波风洞内通常采用薄膜传感器,测量原理是依据金属电阻随温度变化而变化的特性,通过半无限一维热传导的假设设计制作的。薄膜传感器主要由金属薄膜、衬底材料和引线构成,如图1所示。金属薄膜一般选用抗氧化、电阻率高,使用范围内电阻温度基本呈线性变化的高纯度金属铂。衬底材料一般选用传热系数稳定、导热系数低、能耐高温的电绝缘材料,衬底材料一般加工为直径为1-3mm的玻璃棒,在一端面上镀膜。引线用于连接薄膜和测量导线。
传统的玻璃棒式薄膜传感器,仅能实现单点测量,不易实现密集测量;在安装时严格要求与模型表面齐平,安装起来不方便;传感器绝缘层环绕一周,使传感器与金属模型连接误差不易控制在试验要求之内;传感器之间测量数据整体性较差。
发明内容
针对上述技术问题,本发明提出了一种精确测量高超声速流动中表面热流率的集成传感器。
本发明的技术方案为:
一种测量高超声速流动中表面热流率的集成薄膜传感器,包括:
玻璃基底,其为一个整体,且为一个平板;以及
测温元件组,每个测温元件包括在所述玻璃基底的一定区域内采用镀膜工艺制备的一个金属薄膜,相邻的金属薄膜之间彼此隔开一定距离,所有的金属薄膜规则排列,且具有相同的电阻温度特性,所述金属薄膜的材料为铂。
优选的是,所述的测量高超声速流动中表面热流率的集成薄膜传感器中,所有的金属薄膜在所述玻璃基底上的分布构成若干列,每列沿所述玻璃基底的长度方向排列,相邻两个金属薄膜间隔距离相等;所述金属薄膜长度方向平行于所述玻璃基底的宽度方向设置;每个金属薄膜两端涂抹银浆与引线相连。
优选的是,所述的测量高超声速流动中表面热流率的集成薄膜传感器中,所有的金属薄膜的形状、面积和厚度均相等。
优选的是,所述的测量高超声速流动中表面热流率的集成薄膜传感器中,所述玻璃基底呈长方形。
优选的是,所述的测量高超声速流动中表面热流率的集成薄膜传感器中,所述玻璃基底的长度为50mm、80mm或100mm,宽度为10mm,厚度为0.8mm。
优选的是,所述的测量高超声速流动中表面热流率的集成薄膜传感器中,所述玻璃基底上形成有20-39个金属薄膜。
优选的是,所述的测量高超声速流动中表面热流率的集成薄膜传感器中,所述镀膜工艺为通过对铂金靶进行轰击,使溅射出的离子束沉积于所述玻璃基底。
本发明与现有技术相比有益效果为:
(1)传感器集成度最高,提高了测量数据精度;
(2)传感器可与待测模型进行无缝胶结,降低了因安装造成的偏差;
(3)多次重复性试验验证,确保传感器准确性。试验结果表明,本发明集成薄膜传感器,经过23次高低压气流冲刷,损坏率仅为6%,数据重复性误差在5%之内。
附图说明
图1为传统单点传感器;
图2为本发明所述的集成薄膜传感器;
图3给出了应用本发明的集成薄膜传感器对平板模型的实验测量结果(来流Ma=8.0)。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
请参阅图2和图3,本发明提供了一种测量高超声速流动中表面热流率的集成薄膜传感器,包括:玻璃基底,其为一个整体,且为一个平板;以及测温元件组,每个测温元件包括在所述玻璃基底的一定区域内采用镀膜工艺制备的一个金属薄膜,相邻的金属薄膜之间彼此隔开一定距离,所有的金属薄膜规则排列,且具有相同的电阻温度特性,所述金属薄膜的材料为铂。
本发明设计的集成薄膜传感器可满足对平板模型及有圆柱前缘模型的表面热流率的测量。
为保证测量数据连续性、整体性,所有的金属薄膜必须要规则排列,且具有相同的电阻温度特性。
本发明的所述传感器的制造工艺包括两个部分:
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