[发明专利]阵列基板及其制造方法、控制方法、控制组件和显示装置有效
申请号: | 201510315475.4 | 申请日: | 2015-06-10 |
公开(公告)号: | CN104867948B | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 包智颖;姜文博;王世君;吕振华 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L27/12;H01L27/15;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人: | 吕耀萍 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 控制 组件 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板及其制造方法、控制方法、控制组件和显示装置。
背景技术
近些年,随着手机等移动电子产品的不断发展,人们对显示装置各种功能的要求越来越苛刻。其中,显示装置显示亮度的自动调节功能一种常用功能。
相关技术中有一种显示装置(如手机),该显示装置的外壳上安装有感光单元,该感光单元接收外部光强,并将外部光强反馈给显示装置的控制组件,再由控制组件根据该外部光强控制背光源的光强,以调节显示装置的显示亮度。
发明人在实现本发明的过程中,发现上述方式至少存在如下缺陷:上述显示装置需要通过外部安装的感光单元才能够获取外部光强,并根据该外部光强来调节显示亮度,显示亮度的自动调节功能的实现成本较高。
发明内容
为了解决相关技术中显示亮度的自动调节功能的实现成本较高的问题,本发明提供了一种阵列基板及其制造方法、控制方法、控制组件和显示装置。所述技术方案如下:
根据本发明的第一方面,提供一种阵列基板,所述阵列基板包括:
衬底基板上形成的薄膜晶体管和至少一个感光结构,所述感光结构与所述薄膜晶体管的漏极电连接,用于感知外界光强;
在形成有所述薄膜晶体管和所述至少一个感光结构的衬底基板上形成有包括公共电极的图案。
可选的,所述感光结构包括:感光层和感光电极;
在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上形成有包括所述感光电极的图案,所述感光电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接;
在所述感光电极上形成有所述感光层;
在所述感光层上形成有所述公共电极。
可选的,在所述公共电极上形成有发光结构;
在所述发光结构上形成有包括像素电极的图案,所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
可选的,所述发光结构为三层电致发光结构或五层电致发光结构;
所述三层电致发光结构包括:阴极、电致发光层和阳极;
所述五层电致发光结构包括:阴极、电致发光层、离子传导层、离子存储层和阳极。
可选的,所述感光层的材料包括感光树脂和感光聚合物中的至少一种。
根据本发明的第二方面,提供一种阵列基板的制造方法,所述方法包括:
在衬底基板上形成薄膜晶体管和至少一个感光结构,所述感光结构与所述薄膜晶体管的漏极电连接;
在形成有所述薄膜晶体管和所述至少一个感光结构的衬底基板上形成包括公共电极的图案。
可选的,所述感光结构包括:感光层和感光电极,
所述在衬底基板上形成薄膜晶体管和至少一个感光结构,包括:
在所述衬底基板上形成所述薄膜晶体管;
在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上形成包括所述感光电极的图案,所述感光电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接;
在所述感光电极上形成所述感光层,所述公共电极形成于所述感光层上。
可选的,所述阵列基板还包括:发光结构,
所述在形成有所述薄膜晶体管和所述至少一个感光结构的衬底基板上形成包括公共电极的图案之后,还包括:
在所述公共电极上形成所述发光结构;
在所述发光结构上形成包括像素电极的图案,所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
可选的,所述发光结构为三层电致发光结构或五层电致发光结构;
所述三层电致发光结构包括:阴极、电致发光层和阳极;
所述五层电致发光结构包括:阴极、电致发光层、离子传导层、离子存储层和阳极。
可选的,所述感光层的材料包括感光树脂和感光聚合物中的至少一种。
根据本发明的第三方面,提供一种阵列基板的控制方法,用于控制组件,所述控制组件用于控制第一方面所述的阵列基板,所述阵列基板包括薄膜晶体管、感光结构和公共电极,所述方法包括:
所述控制组件停止向所述薄膜晶体管的源极输入信号,所述感光结构获取外界光线并产生光电流;
所述控制组件接收在所述公共电极的作用下流经所述薄膜晶体管的漏极和源极的所述光电流;
所述控制组件根据所述光电流控制显示亮度。
可选的,所述阵列基板还包括发光结构和像素电极,
所述控制组件根据所述光电流控制显示亮度,包括:
所述控制组件根据所述光电流获取控制信号;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的