[发明专利]阵列基板及其制造方法、控制方法、控制组件和显示装置有效

专利信息
申请号: 201510315475.4 申请日: 2015-06-10
公开(公告)号: CN104867948B 公开(公告)日: 2018-01-19
发明(设计)人: 包智颖;姜文博;王世君;吕振华 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144;H01L27/12;H01L27/15;H01L21/77
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 代理人: 吕耀萍
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制造 方法 控制 组件 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:

衬底基板上形成的薄膜晶体管和至少一个感光结构,所述感光结构用于感知外界光强;

所述感光结构包括:感光层和感光电极;

在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上形成有包括所述感光电极的图案,所述感光电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接;

在所述感光电极上形成有所述感光层;

在所述感光层上形成有公共电极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,

在所述公共电极上形成有发光结构;

在所述发光结构上形成有包括像素电极的图案,所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述发光结构为三层电致发光结构或五层电致发光结构;

所述三层电致发光结构包括:阴极、电致发光层和阳极;

所述五层电致发光结构包括:阴极、电致发光层、离子传导层、离子存储层和阳极。

4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,

所述感光层的材料包括感光树脂和感光聚合物中的至少一种。

5.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:

在衬底基板上形成薄膜晶体管和至少一个感光结构,所述感光结构包括:感光层和感光电极;

所述在衬底基板上形成薄膜晶体管和至少一个感光结构,包括:

在所述衬底基板上形成所述薄膜晶体管;

在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上形成包括所述感光电极的图案,所述感光电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接;

在所述感光电极上形成所述感光层,在所述感光层上形成公共电极。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述阵列基板还包括:发光结构,

所述在形成有所述薄膜晶体管和所述至少一个感光结构的衬底基板上形成包括公共电极的图案之后,还包括:

在所述公共电极上形成所述发光结构;

在所述发光结构上形成包括像素电极的图案,所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述发光结构为三层电致发光结构或五层电致发光结构;

所述三层电致发光结构包括:阴极、电致发光层和阳极;

所述五层电致发光结构包括:阴极、电致发光层、离子传导层、离子存储层和阳极。

8.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,

所述感光层的材料包括感光树脂和感光聚合物中的至少一种。

9.一种阵列基板的控制方法,其特征在于,用于控制组件,所述控制组件用于控制权利要求1至4任一所述的阵列基板,所述阵列基板包括薄膜晶体管、感光结构和公共电极,所述方法包括:

所述控制组件停止向所述薄膜晶体管的源极输入信号,所述感光结构获取外界光线并产生光电流;

所述控制组件接收在所述公共电极的作用下流经所述薄膜晶体管的漏极和源极的所述光电流;

所述控制组件根据所述光电流控制显示亮度。

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述阵列基板还包括发光结构和像素电极,

所述控制组件根据所述光电流控制显示亮度,包括:

所述控制组件根据所述光电流获取控制信号;

所述控制组件将所述控制信号输入所述薄膜晶体管的源极,所述薄膜晶体管的源极将所述控制信号导向所述薄膜晶体管的漏极并流入所述像素电极,所述发光结构在所述像素电极和所述公共电极的作用下发光。

11.一种控制组件,其特征在于,用于控制权利要求1至4任一所述的阵列基板,所述阵列基板包括薄膜晶体管、感光结构和公共电极,所述控制组件包括:

停止模块,用于停止向所述薄膜晶体管的源极输入信号,所述感光结构获取外界光线并产生光电流;

接收模块,用于接收在所述公共电极的作用下流经所述薄膜晶体管的漏极和源极的所述光电流;

控制模块,用于根据所述光电流控制显示亮度。

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