[发明专利]阵列基板及其制备方法

说明书

技术领域

本发明属于阵列基板技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

在液晶显示装置的阵列基板中，薄膜晶体管的性能对最终的显示性能有重要影响。为提高薄膜晶体管的充电能力，一种方式是采用“双沟道”结构，即在栅极的上方和下方分别都设置有源区(当然两有源区与栅极间均有栅绝缘层)，从而通过两个有源区同时为像素电极充电。但是，额外增加的有源区需要单独的构图工艺，从而使双沟道薄膜晶体管的制备工艺复杂。

发明内容

本发明针对现有的采用双沟道薄膜晶体管的阵列基板制备工艺复杂的问题，提供一种可简化制备工艺的阵列基板及其制备方法。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极；分别位于栅极下方和上方的、由金属氧化物半导体构成的第一有源区和第二有源区；所述阵列基板还包括：

与所述第一有源区同层的第一电极；

与所述第二有源区同层的第二电极；

所述第一电极和第二电极由经过离子注入的金属氧化物半导体构成。

优选的是，金属氧化物半导体为氧化镓铟锌、氧化铟锡锌、氧化锌锡、氧化铟锌、氧化铝铟、氧化钇锌、氧化锌、氧化铟中的任意一种。

优选的是，所述第一电极为第一公共电极，所述第一公共电极与第一有源区隔开；所述第二电极为像素电极，所述像素电极与第一有源区和第二有源区电连接。

进一步优选的是，所述第一有源区在基底上的投影不超出所述栅极在基底上的投影。

进一步优选的是，所述第二有源区上设有分别与其相连的第二源极和第二漏极，所述像素电极与位于第二漏极下方处的第二有源区相连。

进一步优选的是，所述阵列基板还包括：覆盖所述第二有源区和像素电极的钝化层；设于所述钝化层上的第二公共电极。

优选的是，所述第一电极为像素电极，所述像素电极与第一有源区和第二有源区电连接；所述第二电极为第一公共电极，所述第一公共电极与第二有源区隔开。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种上述阵列基板制备方法，其包括：

形成所述第一有源区和第一电极的步骤、形成栅极的步骤、形成所述第二有源区和第二电极的步骤。

优选的是，所述阵列基板的第一有源区在基底上的投影不超出所述栅极在基底上的投影；所述形成所述第一有源区和第一电极的步骤、形成栅极的步骤包括：在基底上，通过构图工艺用金属氧化物半导体形成包括第一有源区和第一公共电极的图形；在完成前述步骤的基底上，形成第一栅绝缘层；在完成前述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括栅极的图形；进行离子注入，使所述第一公共电极经过离子注入。

优选的是，所述阵列基板的所述第二有源区上设有分别与其相连的第二源极和第二漏极，所述像素电极与位于第二漏极下方处的第二有源区相连；所述形成所述第二有源区和第二电极的步骤包括：在基底上，形成第二栅绝缘层；在完成前述步骤的基底上，通过构图工艺用金属氧化物半导体形成包括第二有源区和像素电极的图形；在完成前述步骤的基底上，通过构图工艺形成金属层，所述金属层位于对应第二源极的区域、对应第二漏极的区域、第二有源区用于在导通时导电的区域上；进行离子注入，使所述像素电极经过离子注入；在完成前述步骤的基底上，通过构图工艺去除位于所述第二有源区用于在导通时导电的区域上的金属层，形成包括第二源极和第二漏极的图形。

优选的是，所述阵列基板还包括覆盖所述第二有源区和像素电极的钝化层；设于所述钝化层上的第二公共电极；在形成所述第二有源区和第二电极的步骤之后，还包括：在基底上形成钝化层；在完成前述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括第二公共电极的图形。

其中，“两个结构同层”是指两个结构是由同一个材料层形成的，由此它们在层叠关系中处于相同的层位置；但这并不代表它们与基底间的距离必定相等。

其中，“构图工艺”是指去除一个材料层的一部分，从而使其剩余部分形成所需结构的工艺，其包括“形成材料层-涂布光刻胶-曝光-显影-刻蚀-光刻胶剥离”等步骤中的一步或多步。

本发明的阵列基板中，薄膜晶体管的中具有两个有源区，故为“双沟道”结构，传输性能好；同时，阵列基板中还具有分别与两个有源区同层的电极，这些电极可与相应的有源区在同一次构图工艺中形成，之后只要再进行离子注入即可获得所需的导电性能；由于两个电极是阵列基板中的原有结构，故此时有源区不必使用单独的工艺制备，可减少过程中使用的构图工艺次数，简化制备方法。

附图说明