[发明专利]阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极；分别位于栅极下方和上方的、由金属氧化物半导体构成的第一有源区和第二有源区；其特征在于，所述阵列基板还包括：

与所述第一有源区同层的第一电极；

与所述第二有源区同层的第二电极；

所述第一电极和第二电极由经过离子注入的金属氧化物半导体构成；

所述第一电极为第一公共电极，所述第一公共电极与第一有源区隔开；

所述第二电极为像素电极，所述像素电极与第一有源区和第二有源区电连接；

所述第二有源区上设有分别与其相连的第二源极和第二漏极，所述像素电极与位于第二漏极下方处的第二有源区相连。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述金属氧化物半导体为氧化镓铟锌、氧化铟锡锌、氧化锌锡、氧化铟锌、氧化铝铟、氧化钇锌、氧化锌、氧化铟中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一有源区在基底上的投影不超出所述栅极在基底上的投影。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

覆盖所述第二有源区和像素电极的钝化层；

设于所述钝化层上的第二公共电极。

5.一种阵列基板制备方法，其特征在于，所述阵列基板为权利要求1至4中任意一项所述的阵列基板，所述阵列基板的制备方法包括：

形成所述第一有源区和第一电极的步骤、形成栅极的步骤、形成所述第二有源区和第二电极的步骤；

所述形成所述第二有源区和第二电极的步骤包括：

在基底上，形成第二栅绝缘层；

在完成前述步骤的基底上，通过构图工艺用金属氧化物半导体形成包括第二有源区和像素电极的图形；

在完成前述步骤的基底上，通过构图工艺形成金属层，所述金属层位于对应第二源极的区域、对应第二漏极的区域、第二有源区用于在导通时导电的区域上；

进行离子注入，使所述像素电极经过离子注入；

在完成前述步骤的基底上，通过构图工艺去除位于所述第二有源区用于在导通时导电的区域上的金属层，形成包括第二源极和第二漏极的图形。

6.根据权利要求5所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述阵列基板为权利要求3所述的阵列基板，所述形成所述第一有源区和第一电极的步骤、形成栅极的步骤包括：

在基底上，通过构图工艺用金属氧化物半导体形成包括第一有源区和第一公共电极的图形；

在完成前述步骤的基底上，形成第一栅绝缘层；

在完成前述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括栅极的图形；

进行离子注入，使所述第一公共电极经过离子注入。

7.根据权利要求5所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述阵列基板为权利要求4所述的阵列基板，在形成所述第二有源区和第二电极的步骤之后，还包括：

在基底上形成钝化层；

在完成前述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括第二公共电极的图形。