[发明专利]TEOS机台的排气管连接件以及排气管

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，尤其涉及一种TEOS机台的排气管连接件以及排气管。

背景技术

半导体集成电路制造工艺中，正硅酸乙酯TEOS淀积二氧化硅由于台阶覆盖性好，成本低，作为介质层被广泛使用，其中，TEOS淀积是把含有构成薄膜元素的气态反应剂引入反应腔室,气态反应剂在硅片等基片的表面发生化学反应,从而生成所需的固态薄膜并淀积在其表面，反应过程中或者反应完成之后，将反应剩余的气体反应剂或者反应生成的其他副产物排出反应腔室。TEOS机台的排气管的结构参考图1所示，通过连接件10将第一连接管30和第二连接管20连接，第二连接管20与反应腔室连接，使得反应腔室中的气体从第二连接管20通过连接件10排出。但是，在TEOS机台的的排气管在将剩余未反应的气体或着副产物排出TEOS机台过程中，排气管中连接件的部分容易积累颗粒，形成残留物，并将排气管堵住，从而影响TEOS机台的正常使用。因此，需要对排气管的连接件部分进行重新设计。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种TEOS机台的排气管连接件以及排气管，解决现有技术中排气管连接部分易形成堵塞的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种TEOS机台的排气管连接件，包括一第一管和一第二管，所述第一管嵌套在所述第二管内，所述第一管的底端和所述第二管的底端封闭连接，并且，所述第一管的高度大于所述第二管的高度。

可选的，所述第一管成圆筒形。

可选的，所述第一管的高度为30cm-40cm，直径为5cm-15cm。

可选的，所述第二管成喇叭形状，直径由第二管的底端向第二管的顶端逐渐增加。

可选的，所述第二管的高度为20cm-25cm

可选的，所述第二管底端的直径为5cm-15cm。

可选的，所述第二管还包括一第二连接部，所述第二连接部为圆环结构，并与所述第二管的底端相连。

可选的，所述第二管顶端的直径为20cm-40cm。

可选的，所述第二管还包括一第一连接部，所述第一连接部为圆环结构，并与所述第二管的顶端相连。

相应的，本发明还提供一种TEOS机台排气管，包括第一连接管、连接件和第二连接管，其中所述连接件采用上述的TEOS机台的排气管连接件。

本发明提供的TEOS机台的排气管连接件以及排气管，包括一第一管和一第二管，所述第一管嵌套在所述第二管内，所述第一管的底端和所述第二管的底端封闭连接，并且，所述第一管的高度大于所述第二管的高度。本发明中，第一管与第二管之间形成半封闭的连接空间，使得在未反应的气体或者反应的副产物排出反应腔室的过程中，形成的残留物可以沉积在半封闭的连接空间中，不会将排气管堵住。在后期的TEOS机台维护过程中，只需要将连接空间中的残留物去除即可，不会对机台的使用产生影响。

附图说明

图1为现有技术中TEOS机台的排气管的结构示意图；

图2为本发明一实施例中TEOS机台的排气管连接件的结构示意图；

图3为本发明一实施例中TEOS机台的排气管的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的TEOS机台的排气管连接件以及排气管进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

本发明的核心思想在于，TEOS机台的排气管连接件包括一第一管和一第二管，所述第一管嵌套在所述第二管内，所述第一管的底端和所述第二管的底端封闭连接，并且，所述第一管的高度大于所述第二管的高度。本发明中，第一管与第二管之间形成半封闭的连接空间，使得在未反应的气体或者反应的副产物排出反应腔室的过程中，形成的残留物可以沉积在半封闭的连接空间中，不会将排气管堵住。在后期的TEOS机台维护过程中，只需要将连接空间中的残留物去除即可，不会对机台的使用产生影响。

下文结合图2对本发明的TEOS机台的排气管连接件进行具体说明。

参考图2所示，本发明的TEOS机台的排气管连接件100包括一第一管1和一第二管2，所述第一管1嵌套在所述第二管2内，所述第一管1的底端和所述第二管2的底端封闭连接，并且，所述第一管1的高度大于所述第二管2的高度，所述第一管1的顶端不与所述第二管2的顶端相连，因此，所述第一管1与所述第二管2之间形成半封闭的连接空间。