[发明专利]一种电子熔丝结构电路有效

专利信息
申请号: 201510307247.2 申请日: 2015-06-05
公开(公告)号: CN104835530B 公开(公告)日: 2018-08-03
发明(设计)人: 黄雪青 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: G11C17/16 分类号: G11C17/16
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 吴俊
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 电子 结构 电路
【权利要求书】:

1.一种电子熔丝结构电路,其特征在于,包括:

若干编程单元,且每个所述编程单元均包括一编程晶体管和与该编程晶体管连接的至少两个熔丝;

若干控制器件单元,且每个所述控制器件单元均包括控制晶体管电路;以及

所述控制晶体管电路与所述熔丝连接,用以控制所述编程晶体管对与该编程晶体管连接的熔丝进行编程操作;

每个所述熔丝均包括阴极端和阳极端,所述阴极端与所述编程晶体管连接,所述阳极端与所述控制晶体管电路连接;

每个所述控制器件单元还包括一非门逻辑电路,所述控制晶体管电路的电源输入端通过所述非门逻辑电路与驱动电源连接,所述驱动电源提供一驱动电压驱动所述电子熔丝结构电路正常运行。

2.根据权利要求1所述的电子熔丝结构电路,其特征在于,每个所述控制晶体管电路均包括一编程电压端,与所述熔丝的阳极端连接,以提供编程电压给所述编程单元。

3.根据权利要求2所述的电子熔丝结构电路,其特征在于,所述编程晶体管具有一饱和区域,所述控制晶体管电路提供的编程电压位于所述饱和区域内。

4.根据权利要求1所述的电子熔丝结构电路,其特征在于,每个所述控制晶体管电路均为一或非门逻辑电路。

5.根据权利要求1所述的电子熔丝结构电路,其特征在于,所述控制晶体管电路中控制晶体管的沟道宽度大于10微米。

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