[发明专利]半导体装置及其制造方法、转印板及其制造方法在审
申请号: | 201510303046.5 | 申请日: | 2015-06-04 |
公开(公告)号: | CN105304588A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 米山玲;原田耕三;大岛功;大坪义贵;河原玲奈 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/36 | 分类号: | H01L23/36;H01L23/40;H05K7/20;H01L25/04 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 转印板 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体装置。
背景技术
在现有的半导体装置中,为了与作为散热器动作的冷却体接触而使由所安装的半导体元件产生的热量散热,通过涂敷散热材料而形成了具有会提高与冷却体之间的密接性的形状的图案(例如,参照专利文献1)。然后,在保持该涂敷面裸露的状态下将该半导体装置出厂。
专利文献1:日本特开2009-277976号公报
对于这种半导体装置,在向顾客出货时或者向顾客运输时等,在处于温度管理不充分的环境情况下,半导体装置有可能达到高温。在这种情况下,如果所涂敷的散热材料是相变材料,则该散热材料变为液态。此时,如果对作为相变材料的图案施加冲击,则存在图案的形状塌毁的问题。
发明内容
本发明就是为了解决上述问题而提出的,其目的在于提供一种半导体装置,该半导体装置在处于温度管理不充分的环境情况下,即使对由变为液态的相变材料形成的图案施加冲击,也能够减少图案的形状的塌毁。
本发明所涉及的半导体装置具备:半导体元件,其安装于半导体模块的内部;散热面,其形成于半导体模块,将由半导体元件产生的热量向散热器散热;图案,其由相变材料构成,形成在散热面上;以及第1薄膜,其覆盖图案。
发明的效果
根据本发明所涉及的半导体装置,在向顾客出货时或者向顾客运输时等,在处于温度管理不充分的环境情况下,即使半导体装置达到高温,对由变为液态的相变材料形成的图案施加冲击,半导体装置也能够利用图案和薄膜之间的界面处的张力,减少图案的形状的塌毁。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式1所涉及的半导体装置100的侧视图。
图2是表示本发明的实施方式1所涉及的半导体装置100的仰视图。
图3是表示本发明的实施方式1所涉及的半导体装置100的制造方法的工序的流程图。
图4用于说明本发明的实施方式1所涉及的半导体装置100的制造方法的工序的步骤S1,是制造过程中的半导体装置100的侧视图。
图5用于说明本发明的实施方式1所涉及的半导体装置100的制造方法的工序的步骤S1,是制造过程中的半导体装置100的俯视图。
图6用于说明本发明的实施方式1所涉及的半导体装置100的制造方法的工序的步骤S3,是制造过程中的半导体装置100的侧视图。
图7是表示本发明的实施方式1所涉及的变形例的半导体装置200的侧视图。
图8是表示本发明的实施方式2所涉及的半导体装置300的侧视图。
图9是表示本发明的实施方式2所涉及的半导体装置300的制造方法的工序的流程图。
图10用于说明本发明的实施方式2所涉及的半导体装置300的制造方法的工序的步骤S31,是制造过程中的半导体装置300的俯视图。
图11用于说明本发明的实施方式2所涉及的半导体装置300的制造方法的工序的步骤S31,是制造过程中的半导体装置300的剖视图。
图12用于说明本发明的实施方式2所涉及的半导体装置300的制造方法的工序的步骤S33,是制造过程中的半导体装置300的侧视图。
图13是表示本发明的实施方式3所涉及的半导体装置400的侧视图。
图14是表示本发明的实施方式4所涉及的转印板500的侧视图。
图15是表示本发明的实施方式4所涉及的转印板500的制造方法的工序的流程图。
图16是表示本发明的实施方式5所涉及的转印板600的侧视图。
图17是表示本发明的实施方式6所涉及的转印板700的侧视图。
图18是表示本发明的实施方式6所涉及的转印板700的制造方法的工序的流程图。
图19用于说明本发明的实施方式6所涉及的转印板700的制造方法的工序的步骤S73,是表示制造过程中的转印板700的侧视图。
图20是表示本发明的实施方式7所涉及的转印板800的侧视图。
标号的说明
5图案形成用掩模,6开口部,7刮板,10、20、30半导体模块,11金属板,12壳体,13、33散热面,14图案,15、18、45、48薄膜,16、19、46、49粘接面,17标记,22封装树脂,100、200、300、400半导体装置,141相变材料,500、600、700、800转印板,L1散热面13的外周,L2半导体模块10的外周。
具体实施方式
实施方式1
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