[发明专利]OLED像素排列结构及显示装置有效
申请号: | 201510302460.4 | 申请日: | 2015-06-04 |
公开(公告)号: | CN104992959B | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 洪执华;马得贵;蔡晓义;柯贤军;苏君海;李建华 | 申请(专利权)人: | 信利(惠州)智能显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3216 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人: | 邓义华,陈卫 |
地址: | 516006 广东省惠州市仲*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 像素 排列 结构 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种OLED像素排列结构及显示装置。
背景技术
近年来,有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)由于其具备自发光,不需背光源,以及对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异之特性,被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。有机发光显示技术由非常薄的有机材料涂层和玻璃基板构成,当有电荷通过时,这些有机材料就会发光。相对于LCD显示器,OLED具有更省电,更薄,且视角宽的优势,这是LCD无法比拟的。OLED根据驱动方式的不同分为主动式OLED(AMOLED)和被动式OLED(PMOLED)。相对于PMOLED,AMOLED由于每个像素都有独立的像素驱动电路,所以能够实现大尺寸,高分辨率,较省电,面板寿命较长等特点。
目前,在器件制作方面,形成OLED有机层最成熟的技术是真空蒸镀,有机小分子在蒸发源中受热,由聚集态变成气态,沉积在位于正上面的基板上。紧贴着基板下侧的是金属掩膜板(Fine Metal Mask,FMM),FMM上有大量网孔构成的图案,以使在蒸镀某种颜色子像素时,挡住不需要镀膜的其他子像素和像素之间的非镀膜区,只在需要镀膜的子像素区域镀上薄膜。
当今人们对显示设备分辨率的要求越来越高,这就要求像素尺寸越来越小,但是,主要受FMM制作水平及其与玻璃基板的对位精度、shadow效应的限制,OLED传统的R、G、B交替重复排列结构的PPI已经接近了极限。因此,为了追求高分辨率,像素开口及其距离不断缩小,但容易导致混色,膜厚不均等问题。在提高制造工艺水平的同时,设计新颖的像素排列结构是实现高PPI的重要途径。
发明内容
本发明提出一种OLED像素排列结构及显示装置,实现了在目前FMM制作工艺及镀膜工艺的条件下,有效提升OLED显示的PPI值及分辨率,提高OLED显示的图像质量及效果。
为实现上述发明目的,本发明采用如下技术方案:
一种OLED像素排列结构,包括:多个第一子像素、第二子像素及第三子像素,沿横向、竖向或斜向相对设置的两相邻第二子像素形成第二子像素团,沿横向、竖向或斜向相对设置的两相邻第三子像素形成第三子像素团,所述第一子像素沿横向及纵向分别排列成第一子像素行及第一子像素列,所述第二子像素团与第三子像素团在横向上交替排列,所述第一子像素行与第二子像素团及第三子像素团形成的行在纵向上交替排列;所述第二子像素团沿纵向排列成第二子像素团列,所述第三子像素团沿纵向排列成第三子像素团列,所述第二子像素团列、第一子像素列及第三子像素团列在横向上交替排列,其中,第i列和第i+2列中第n行的第二子像素团或第三子像素团与第n+2行的第二子像素团或第三子像素团的设置方向不完全相同,i和n均为自然数。
另,本发明还提供一种显示装置,所述显示装置包括上述的OLED像素排列结构。
本发明采用在横向、纵向和45°斜线方向上非镜像对称的像素排列结构,在该三种方向上相邻像素单元也不重复排列,实现了在目前FMM制作工艺及镀膜工艺的条件下,有效提升OLED显示的PPI值及分辨率,提高OLED显示的图像质量及效果,同时,也降低了镀膜工艺上的实现难度。
附图说明
图1为本发明OLED像素排列结构第一实施例的结构示意图;
图2为本发明OLED像素排列结构第二实施例的结构示意图;
图3为本发明OLED像素排列结构第三实施例的结构示意图;
图4为本发明OLED像素排列结构第四实施例的结构示意图;
图5为图1至图4中像素单元划分的示意图;
图6为本发明中第二子像素及第三子像素其他排列方式的示意图;
图7为本发明OLED像素排列结构第五实施例的结构示意图;
图8为本发明OLED像素排列结构第六实施例的结构示意图;
图9为本发明OLED像素排列结构第七实施例的结构示意图;
图10为本发明OLED像素排列结构第八实施例的结构示意图;
图11为图7至图10中像素单元划分的示意图;
图12为本发明中第二子像素及第三子像素其他排列方式的示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的