[发明专利]OLED像素排列结构及显示装置有效
| 申请号: | 201510302460.4 | 申请日: | 2015-06-04 |
| 公开(公告)号: | CN104992959B | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
| 发明(设计)人: | 洪执华;马得贵;蔡晓义;柯贤军;苏君海;李建华 | 申请(专利权)人: | 信利(惠州)智能显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3216 |
| 代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人: | 邓义华,陈卫 |
| 地址: | 516006 广东省惠州市仲*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 像素 排列 结构 显示装置 | ||
1.一种OLED像素排列结构,其特征在于,包括:多个第一子像素、第二子像素及第三子像素,沿横向、竖向或斜向相对设置的两相邻第二子像素形成第二子像素团,沿横向、竖向或斜向相对设置的两相邻第三子像素形成第三子像素团,所述第一子像素沿横向及纵向分别排列成第一子像素行及第一子像素列,所述第二子像素团与第三子像素团在横向上交替排列,所述第一子像素行与第二子像素团及第三子像素团形成的行在纵向上交替排列;所述第二子像素团沿纵向排列成第二子像素团列,所述第三子像素团沿纵向排列成第三子像素团列,所述第二子像素团列、第一子像素列及第三子像素团列在横向上交替排列,其中,第i列和第i+2列中第n行的第二子像素团或第三子像素团与第n+2行的第二子像素团或第三子像素团的设置方向不完全相同,i和n均为大于0的自然数。
2.根据权利要求1所述的OLED像素排列结构,其特征在于,所述第二子像素团包括沿纵向相对设置的两相邻第二子像素形成的纵向第二子像素团,所述纵向第二子像素团沿纵向排列成第二子像素团列;所述第三子像素团包括沿纵向相对设置的两相邻第三子像素形成的纵向第三子像素团,以及沿横向相对设置的两相邻第三子像素形成的横向第三子像素团,所述纵向第三子像素团与横向第三子像素团沿纵向交替排列成第三子像素团列,所述纵向第二子像素团与纵向第三子像素团在横向上交替排列成第一混合像素行,所述纵向第二子像素团与横向第三子像素团在横向上交替排列成第二混合像素行,所述第一混合像素行、第一子像素行、第二混合像素行及第一子像素行在纵向上依次交替排列。
3.根据权利要求1所述的OLED像素排列结构,其特征在于,所述第二子像素团包括沿横向相对设置的两相邻第二子像素形成的横向第二子像素团,以及沿纵向相对设置的两相邻第二子像素形成的纵向第二子像素团,所述横向第二子像素团与纵向第二子像素团沿纵向交替排列成第二子像素团列;所述第三子像素团包括沿纵向相对设置的两相邻第三子像素形成的纵向第三子像素团,以及沿横向相对设置的两相邻第三子像素形成的横向第三子像素团,所述纵向第三子像素团与横向第三子像素团沿纵向交替排列成第三子像素团列,所述横向第二子像素团与纵向第三子像素团在横向上交替排列成第一混合像素行,所述纵向第二子像素团与横向第三子像素团在横向上交替排列成第二混合像素行,所述第一混合像素行、第一子像素行、第二混合像素行及第一子像素行在纵向上依次交替排列。
4.根据权利要求1所述的OLED像素排列结构,其特征在于,所述第二子像素团包括沿横向相对设置的两相邻第二子像素形成的横向第二子像素团,以及沿纵向相对设置的两相邻第二子像素形成的纵向第二子像素团,每两个横向第二子像素团与一个纵向第二子像素团沿纵向依次交替排列成第二子像素团列;所述第三子像素团包括沿横向相对设置的两相邻第三子像素形成的横向第三子像素团,以及沿纵向相对设置的两相邻第三子像素形成的纵向第三子像素团,每一横向第三子像素团、一纵向第三像素团及一横向第三子像素团沿纵向依次交替排列成第三子像素团列,所述横向第二子像素团与横向第三子像素团在横向上交替排列成第一混合像素行,所述横向第二子像素团与纵向第三子像素团在横向上交替排列成第二混合像素行,所述纵向第二子像素团与横向第三子像素团在横向上交替排列成第三混合像素行,所述第一混合像素行、第一子像素行、第二混合像素行、第一子像素行、第三混合像素行及第一子像素行在纵向上依次交替排列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





