[发明专利]固化性组合物及半导体装置有效

专利信息
申请号: 201510300601.9 申请日: 2015-06-03
公开(公告)号: CN105315678B 公开(公告)日: 2019-08-20
发明(设计)人: 小林中;市冈扬一郎 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: C08L83/14 分类号: C08L83/14;C08L83/07;C08G77/52;H01L23/29
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 张永康;李英艳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 固化 组合 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种固化性组合物,其特征在于,其包含:

(A)下述(a)、(b)与(c)的加成反应产物,并且,

(a)由下述通式(1)表示并且在1个分子中具有2个键结于硅原子上的氢原子的化合物,

通式(1)中,R1独立为未被取代或被卤素原子、氰基、或环氧丙氧基取代并且碳原子数1~12的1价烃基、或碳原子数1~6的烷氧基,

(b)在1个分子中具有2个加成反应性碳-碳双键的多环烃,

(c)由下述通式(2)表示并且在1个分子中具有2个键结于硅原子上的氢原子的化合物,

通式(2)中,R2是加成反应性碳-碳双键以外并且彼此相同或不同的未被取代或取代的1价烃基、或烷氧基,n是满足1≤n<4的正数;

(B)在1个分子中具有3个以上的加成反应性碳-碳双键的化合物;

(C)含有铂族金属的硅氢化催化剂,

前述多环烃(b)是5-乙烯基双环[2.2.1]庚-2-烯及6-乙烯基双环[2.2.1]庚-2-烯的组合,

前述(c)的1个分子中具有2个键结于硅原子上的氢原子的化合物是1,1,3,3-四甲基二硅氧烷,

前述(B)成分是DVi4的有机聚硅氧烷或异氰脲酸三烯丙酯,并且,DVi表示(CH2=CH)(CH3)SiO2/2

2.如权利要求1所述的固化性组合物,其中,前述(A)成分是以使该多环烃(b)配置于两末端的方式来使前述化合物(a)与前述多环烃(b)加成反应,再进一步与前述化合物(c)加成反应而成。

3.如权利要求1或2所述的固化性组合物,其中,前述固化性组合物的固化物在波长589nm的可见光中的折射率,在25℃为1.45以上。

4.如权利要求1或2所述的固化性组合物,其中,前述固化性组合物的固化物在波长400nm中的透光率,在25℃为80%以上。

5.如权利要求1或2所述的固化性组合物,其中,前述固化性组合物的固化物根据日本JIS-K6249所测定的断裂伸长率为100以上,并且抗拉强度为3以上。

6.如权利要求1或2所述的固化性组合物,其中,前述固化性组合物的固化物的1mm厚度的氧气透过率在23℃为500cc/m2·天以下。

7.一种半导体装置,其特征在于,其利用权利要求1或2所述的固化性组合物的固化物来覆盖光半导体元件。

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