[发明专利]固化性组合物及半导体装置有效
| 申请号: | 201510300601.9 | 申请日: | 2015-06-03 |
| 公开(公告)号: | CN105315678B | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
| 发明(设计)人: | 小林中;市冈扬一郎 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号: | C08L83/14 | 分类号: | C08L83/14;C08L83/07;C08G77/52;H01L23/29 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张永康;李英艳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固化 组合 半导体 装置 | ||
1.一种固化性组合物,其特征在于,其包含:
(A)下述(a)、(b)与(c)的加成反应产物,并且,
(a)由下述通式(1)表示并且在1个分子中具有2个键结于硅原子上的氢原子的化合物,
通式(1)中,R1独立为未被取代或被卤素原子、氰基、或环氧丙氧基取代并且碳原子数1~12的1价烃基、或碳原子数1~6的烷氧基,
(b)在1个分子中具有2个加成反应性碳-碳双键的多环烃,
(c)由下述通式(2)表示并且在1个分子中具有2个键结于硅原子上的氢原子的化合物,
通式(2)中,R2是加成反应性碳-碳双键以外并且彼此相同或不同的未被取代或取代的1价烃基、或烷氧基,n是满足1≤n<4的正数;
(B)在1个分子中具有3个以上的加成反应性碳-碳双键的化合物;
(C)含有铂族金属的硅氢化催化剂,
前述多环烃(b)是5-乙烯基双环[2.2.1]庚-2-烯及6-乙烯基双环[2.2.1]庚-2-烯的组合,
前述(c)的1个分子中具有2个键结于硅原子上的氢原子的化合物是1,1,3,3-四甲基二硅氧烷,
前述(B)成分是DVi4的有机聚硅氧烷或异氰脲酸三烯丙酯,并且,DVi表示(CH2=CH)(CH3)SiO2/2。
2.如权利要求1所述的固化性组合物,其中,前述(A)成分是以使该多环烃(b)配置于两末端的方式来使前述化合物(a)与前述多环烃(b)加成反应,再进一步与前述化合物(c)加成反应而成。
3.如权利要求1或2所述的固化性组合物,其中,前述固化性组合物的固化物在波长589nm的可见光中的折射率,在25℃为1.45以上。
4.如权利要求1或2所述的固化性组合物,其中,前述固化性组合物的固化物在波长400nm中的透光率,在25℃为80%以上。
5.如权利要求1或2所述的固化性组合物,其中,前述固化性组合物的固化物根据日本JIS-K6249所测定的断裂伸长率为100以上,并且抗拉强度为3以上。
6.如权利要求1或2所述的固化性组合物,其中,前述固化性组合物的固化物的1mm厚度的氧气透过率在23℃为500cc/m2·天以下。
7.一种半导体装置,其特征在于,其利用权利要求1或2所述的固化性组合物的固化物来覆盖光半导体元件。
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