[发明专利]多晶硅薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种多晶硅薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法。

背景技术

低温多晶硅薄膜晶体管(LowTemperaturePoly-Silicon-ThinFilmTransistor，简称LTPS-TFT)显示器具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率等优点，加上由于LTPS的特点，使得其具有高的电子移动率。

目前，LTPSTFT包括设置在衬底基板上的有源层、栅绝缘层、栅电极、源电极和漏电极，有源层为采用多晶硅制成。LTPSTFT制备的关键技术是将非晶硅转变为多晶硅的结晶化方法。这些方法可以分成非激光结晶和激光退火两类。在非激光结晶中，最简单的方法是固相结晶(SPC)，但SPC需在600℃的环境温度下退火10小时左右，不适用于大面积玻璃基板；激光方法中，应用最广泛的是准分子激光退火(ELA)，但是激光退火工艺设备昂贵，提高了LTPSTFT的制备成本。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种多晶硅薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法，利用电信号产生的热量使非晶硅晶化为多晶硅，制备工艺简单，制备成本低廉。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种多晶硅薄膜晶体管的制作方法，在形成薄膜晶体管的非晶硅有源层和源电极后，向所述源电极施加电信号，使所述源电极在预设温度下保持预设时间，通过源电极与非晶硅有源层之间的热传导使所述非晶硅有源层在所述源电极产生的热量下晶化为多晶硅有源层。

进一步地，所述电信号为脉冲信号。

进一步地，所述预设温度为800-1000℃，所述预设时间为20-40分钟。

本发明实施例还提供了一种多晶硅薄膜晶体管，为采用如上所述的制作方法制作得到。

本发明实施例还提供了一种多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法，在形成阵列基板上的非晶硅有源层、源电极和数据线之后，向所述数据线施加电信号，使所述源电极和数据线在预设温度下保持预设时间，通过所述数据线、源电极与所述非晶硅有源层之间的热传导使所述非晶硅有源层在所述数据线和源电极产生的热量下晶化为多晶硅有源层。

进一步地，所述制作方法包括：

在形成源电极和数据线的同时，形成与阵列基板上所有数据线连接的第一信号输入节点，通过向所述第一信号输入点输入所述电信号，以给阵列基板上所有数据线施加所述电信号。

进一步地，所述制作方法还包括：

在形成所述第一信号输入节点的同时，还形成通过走线与所述第一信号输入节点电连接的第二信号输入节点，通过向所述第二信号输入节点输入所述电信号，以向所述第一信号输入节点输入所述电信号，进而给阵列基板上所有数据线施加所述电信号，其中，所述走线设置在阵列基板的边缘，且所述走线的长度大于预设长度。

进一步地，所述走线绕阵列基板一周。

进一步地，所述电信号为脉冲信号。

进一步地，所述预设温度为800-1000℃，所述预设时间为20-40分钟。

本发明实施例还提供了一种多晶硅薄膜晶体管阵列基板，为采用如上所述的制作方法制作得到。

本发明的实施例具有以下有益效果：

上述方案中，在形成薄膜晶体管的非晶硅有源层和源电极后，向源电极施加电信号，由于源电极存在一定的电阻，因此源电极在电信号的作用下将产生热量，通过源电极与非晶硅有源层之间的热传导使非晶硅有源层在源电极产生的热量下晶化为多晶硅有源层，并且非晶硅有源层下存在有栅绝缘层，因为栅绝缘层的绝热保护作用，使得玻璃基板不会受到高热量的损伤，有效地保护了玻璃基板。本发明制备多晶硅TFT的工艺简单，制备成本低廉，能够大规模应用在生产中。

附图说明

图1为本发明实施例三阵列基板在制作过程中的布线示意图；

图2为本发明实施例四阵列基板在制作过程中的布线示意图；

图3为本发明实施例五阵列基板在制作过程中的布线示意图。

附图标记

1数据线的输入端子2第一信号输入点3第二信号输入节点

4阵列基板

具体实施方式

为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。