[发明专利]多晶硅薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在形成薄膜晶体管的非晶硅有源层和源电极后，向所述源电极施加电信号，使所述源电极在预设温度下保持预设时间，通过源电极与非晶硅有源层之间的热传导使所述非晶硅有源层在所述源电极产生的热量下晶化为多晶硅有源层。

2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述电信号为脉冲信号。

3.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述预设温度为800-1000℃，所述预设时间为20-40分钟。

4.一种多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，为采用如权利要求1-3中任一项所述的制作方法制作得到。

5.一种多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成阵列基板上的非晶硅有源层、源电极和数据线之后，向所述数据线施加电信号，使所述源电极和数据线在预设温度下保持预设时间，通过所述数据线、源电极与所述非晶硅有源层之间的热传导使所述非晶硅有源层在所述数据线和源电极产生的热量下晶化为多晶硅有源层。

6.根据权利要求5所述的多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在形成源电极和数据线的同时，形成与阵列基板上所有数据线连接的第一信号输入节点，通过向所述第一信号输入点输入所述电信号，以给阵列基板上所有数据线施加所述电信号。

7.根据权利要求6所述的多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在形成所述第一信号输入节点的同时，还形成通过走线与所述第一信号输入节点电连接的第二信号输入节点，通过向所述第二信号输入节点输入所述电信号，以向所述第一信号输入节点输入所述电信号，进而给阵列基板上所有数据线施加所述电信号，其中，所述走线设置在阵列基板的边缘，且所述走线的长度大于预设长度。

8.根据权利要求7所述的多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述走线绕阵列基板一周。

9.根据权利要求5所述的多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述电信号为脉冲信号。

10.根据权利要求5所述的多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述预设温度为800-1000℃，所述预设时间为20-40分钟。

11.一种多晶硅薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，为采用如权利要求5-10中任一项所述的制作方法制作得到。