[发明专利]阵列基板及其制作方法以及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板、一种显示装置和一种阵列基板制作方法。

背景技术

TFT(薄膜场效应晶体管)驱动显示装置是目前显示领域的主流技术。薄膜场效应晶体管显示器通常包括彩膜基板和TFT阵列基板，TFT阵列基板包括多个像素单元，每个像素单元对应一个TFT。在TFT栅极上施加一定的电压时，当栅极电压达到阈值电压后，沟道开启(即有源层开启)，从而导通源极和漏极，数据线中的信号通过源极传输至漏极，进而对与漏极电连接的像素电极进行控制。像素电极和公共电极之间的电压差驱动液晶分子产生不同的旋转角度实现不同的光透过强度，从而显示不同画面。因此TFT是否正常工作直接导致像素单元的显示效果。

其中，在数据线与扫描线(栅线)、数据线与公共电极线跨接处，由于不同的金属层对光反射强度的差异，在经过掩膜板曝光后，跨接处的数据线线宽与未跨接处出现差异。对于窄线宽设计产品，跨接处线宽变小会增加数据线发生断路风险，如图1所示，由于数据线4和公共电极线3所采用的金属材料不同，在经过掩模板曝光后，在跨接处所形成的数据线4相对于其他位置的数据线4较窄，断路风险较大。

现有技术中采用在掩膜板上提高跨接处线宽的设计，但是该方法会增加数据线与公共电极线或数据线与扫描线之间的耦合电容，例如图2所示，在跨接处所形成的数据线4相对于其他位置的数据线4较宽，增大了数据线4与公共电极线3的耦合电容，仍旧会产生不良影响。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，如何避免在形成数据线时，数据线与其他布线重叠(跨接)处产生的线宽差异。

为此目的，本发明提出了一种阵列基板，包括：

基底；

设置于所述基底之上的栅线、公共电极线和数据线；

设置于所述公共电极线与所述数据线的第一重叠区域，且位于所述公共电极线和所述数据线之间的第一间隔层，所述第一间隔层在所述数据线的宽度方向上向至少一侧延伸预设长度；

和/或

设置于所述栅线与所述数据线的第二重叠区域，且位于所述栅线和所述数据线之间的第二间隔层，所述第二重叠区域的第二间隔层在所述数据线的宽度方向上向至少一侧延伸预设长度。

优选地，所述第一间隔层在所述数据线的宽度方向上向两侧延伸预设长度；和/或

所述第二重叠区域的第二间隔层在所述数据线的宽度方向上向两侧延伸预设长度。

优选地，所述第一间隔层在所述数据线的长度方向上向至少一侧延伸预设长度；和/或

所述第二重叠区域的第二间隔层在所述数据线的长度方向上向至少一侧延伸预设长度。

优选地，所述第一间隔层在所述数据线的长度方向上向两侧延伸预设长度；和/或

所述第二重叠区域的第二间隔层在所述数据线的长度方向上向两侧延伸预设长度。

优选地，还包括：

设置于所述基底之上的栅极，

所述第二间隔层还设置于所述栅极与所述数据线的第三重叠区域，且位于所述栅极和所述数据线之间，

所述第三重叠区域的第二间隔层在所述数据线的宽度方向上向至少一侧延伸预设长度。

优选地，所述第三重叠区域的第二间隔层在所述数据线的宽度方向上向两侧延伸预设长度。

优选地，所述第三重叠区域的第二间隔层在所述数据线的长度方向上向至少一侧延伸预设长度。

优选地，所述第三重叠区域的第二间隔层在所述数据线的长度方向上向两侧延伸预设长度。

优选地，还包括：

设置于所述栅极之上的有源层，

其中，所述第一间隔层和/或第二间隔层与所述有源层处于同一层，且所述第二间隔层与所述有源层相连。

优选地，还包括：

设置在所述有源层之上的欧姆接触层；

设置在所述欧姆接触层之上的源极和漏极；

设置在所述源极和漏极之上的钝化层；

设置在所述钝化层之上的像素电极，

其中，所述像素电极通过所述钝化层中的过孔与所述漏极电连接。

本发明还提出了一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。

本发明还提出了一种阵列基板制作方法，包括：

在基底上形成栅线和公共电极线；

在所述栅线上形成半导体层；

对所述半导体层进行处理，以在所述公共电极线上形成第一间隔层，所述第一间隔层在待形成的数据线的宽度方向上向至少一侧延伸预设长度，