[发明专利]阵列基板及其制作方法以及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基底；

设置于所述基底之上的栅极、栅线、公共电极线和数据线；

设置于所述栅线与所述数据线的第二重叠区域，且位于所述栅线和所述数据线之间的第二间隔层，所述第二重叠区域的第二间隔层在所述数据线的宽度方向上向至少一侧延伸预设长度；

其中，所述第二间隔层还设置于所述栅极与所述数据线的第三重叠区域，且位于所述栅极和所述数据线之间，所述第三重叠区域的第二间隔层在所述数据线的宽度方向上向至少一侧延伸预设长度。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二重叠区域的第二间隔层在所述数据线的宽度方向上向两侧延伸预设长度。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二重叠区域的第二间隔层在所述数据线的长度方向上向至少一侧延伸预设长度。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二重叠区域的第二间隔层在所述数据线的长度方向上向两侧延伸预设长度。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第三重叠区域的第二间隔层在所述数据线的宽度方向上向两侧延伸预设长度。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第三重叠区域的第二间隔层在所述数据线的长度方向上向至少一侧延伸预设长度。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第三重叠区域的第二间隔层在所述数据线的长度方向上向两侧延伸预设长度。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

设置于所述栅极之上的有源层，

其中，所述第二间隔层与所述有源层处于同一层，且所述第二间隔层与所述有源层相连。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

设置在所述有源层之上的欧姆接触层；

设置在所述欧姆接触层之上的源极和漏极；

设置在所述源极和漏极之上的钝化层；

设置在所述钝化层之上的像素电极，

其中，所述像素电极通过所述钝化层中的过孔与所述漏极电连接。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至9中任一项所述的阵列基板。

11.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括：

在基底上形成栅极、栅线和公共电极线；

在所述栅极和栅线上形成半导体层；

对所述半导体层进行处理，以在所述栅线和栅极上形成第二间隔层，所述栅线和栅极上的第二间隔层在待形成的数据线的宽度方向上向至少一侧延伸预设长度；

形成数据线，以使所述数据线在所述第二间隔层处与所述栅线和栅极重叠。

12.根据权利要求11所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述对所述半导体层进行处理还包括：

在所述栅极之上形成有源层，使所述有源层与所述第二间隔层相连。

13.根据权利要求12所述的阵列基板制作方法，其特征在于，还包括：

在所述有源层之上形成欧姆接触层；

在所述欧姆接触层之上形成源极和漏极；

在所述源极和漏极之上形成钝化层；

在所述钝化层中形成过孔；

在所述钝化层之上形成像素电极，使所述像素电极通过所述过孔与所述漏极电连接。

14.根据权利要求11至13中任一项所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述对所述半导体层进行处理包括：

对所述半导体层进行蚀刻。