[发明专利]一种无裂纹氢化钛电极源片的制备工艺

权利要求书

1.一种无裂纹氢化钛电极源片的制备工艺，其特征在于包括以下步骤：

（a）采用金属钛作为原料制造电极源片工件，并对其表面进行预处理；

（b）将步骤（a）得到的预处理电极源片工件在真空下进行高温退火；

（c）将退火后的电极源片工件进行吸氢反应；

（d）设置降温曲线使得吸氢反应进行一定时间，将吸氢后的工件进行冷却至室温，得到成品电极源片。

2.根据权利要求1所述的一种无裂纹氢化钛电极源片的制备工艺，其特征在于，所述的步骤（a）包括以下具体步骤：

（a1）将纯钛加工成一定形状和尺寸的样品；

（a2）采用球磨机对样品表面进行机械研磨和抛光，研磨粉采用Al₂O₃粉；

（a3）将抛光后的工件首先在热碱中除油脂，然后在弱酸中清除氧化层，然后用去离子水洗净，再放入酒精中进行超声清洗5min；

（a4）将工件烘干并称重，称重精度达到0.01mg。

3.根据权利要求1所述的一种无裂纹氢化钛电极源片的制备工艺，其特征在于，所述步骤（b）包括以下步骤：

（b1）将电极源片工件放入真空腔体并抽真空，真空腔室内的真空度小于2×10^-4pa；

（b2）设置升温曲线，并按照升温曲线将工件加热至一定温度进行放气。

4.根据权利要求3所述的一种无裂纹氢化钛电极源片的制备工艺，其特征在于：所述步骤（b2）升温曲线中的升温速率范围5 ~10℃/min。

5.根据权利要求3所述的一种无裂纹氢化钛电极源片的制备工艺，其特征在于：所述步骤（b2）升温曲线中每升温100℃，保持温度稳定5~20min。

6.根据权利要求3至5中任意一项所述的一种无裂纹氢化钛电极源片的制备工艺，其特征在于：所述步骤（b2）升温曲线中最高放气温度范围为700~800℃。

7.根据权利要求1所述的一种无裂纹氢化钛电极源片的制备工艺，其特征在于，所述（c）是将温度降至420~520℃后，关闭真空泵抽气口并冲入氢气，进行吸氢反应。

8.根据权利要求7所述的一种无裂纹氢化钛电极源片的制备工艺，其特征在于，所述（c）中吸氢反应的压力范围为-50~100kPa。

9.根据权利要求1所述的一种无裂纹氢化钛电极源片的制备工艺，其特征在于，所述步骤（d）的降温过程中，降温速率范围0.5 ~3℃/min。

10.根据权利要求9所述的一种无裂纹氢化钛电极源片的制备工艺，其特征在于，所述步骤（d）的降温过程中，每降温20~60℃，保持温度稳定10~20min。

11.根据权利要求9所述的一种无裂纹氢化钛电极源片的制备工艺，其特征在于，所述步骤（d）的吸氢过程中，吸氢时间范围为100~180min。

12.根据权利要求11所述的一种无裂纹氢化钛电极源片的制备工艺，其特征在于，所述步骤（d）的吸氢过程中，吸氢反应结束的温度范围为380~420℃。