[发明专利]一种射频LDMOS晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种射频LDMOS晶体管，包括P+衬底(1)、位于P+衬底(1)下表面的金属电极(14)和位于P+衬底(1)上表面的P型外延层(2)；所述P型外延层(2)上层具有相互独立的P型阱区(5)和N-漂移区(6)，其远离N-漂移区(6)的一端具有P+sinker(8)；所述P型阱区(5)上层具有与P+sinker(8)相连的源极(7)；所述N-漂移区(6)上层远离P型阱区(5)的一端具有漏极(9)；所述P+sinker(8)的上表面及部分源极(7)的上表面具有源极金属(12)；所述漏极(9)的上表面具有漏极金属(13)；在源极金属(12)与漏极金属(13)之间具有二氧化硅介质层(10)；所述二氧化硅介质层(10)中具有由栅氧化层(3)和多晶硅栅(4)构成的栅极结构，所述栅氧化层(3)位于P型阱区(5)的上表面，多晶硅栅(4)位于栅氧化层(3)的上表面；位于栅极结构顶部及侧面的二氧化硅介质层(10)具有向上凸起的结构，凸起结构靠近漏极金属(13)的上表面及侧面具有金属层(11)，所述金属层(11)在二氧化硅介质层(10)上表面向漏极金属(13)方向延伸形成法拉第罩；其特征在于，所述法拉第罩位于二氧化硅介质层(10)上表面部分的金属为3段结构，分别为第一金属层(110)、第二金属层(111)和第三金属层(112)；所述第一金属层(110)与位于二氧化硅介质层(10)凸起结构的侧面及上表面的金属相连；所述第二金属层(111)位于第一金属层(110)和第三金属层(112)之间，分段后的金属层相互独立，从而使靠近漏端处的第二金属层(111)和第三金属层(112)浮空。

2.根据权利要求1所述的一种射频LDMOS晶体管，其特征在于，所述第一金属层(110)和第二金属层(111)之间的间距等于第二金属层(111)和第三金属层(112)之间的间距。

3.一种射频LDMOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步：在P+衬底(1)上表面形成P型外延层(2)；

第二步：采用离子注入工艺，在P型外延层(2)的一侧通过离子注入形成P+sinker(8)；

第三步：在P型外延层(2)的上表面生长栅氧化层(3)，在栅氧化层(3)上表面淀积多晶硅，并采用刻蚀工艺刻蚀出多晶硅栅(4)，所述栅氧化层(3)与多晶硅栅(4)构成栅极结构；

第四步：采用离子注入工艺，在P型外延层(2)上层形成相互独立的P型阱区(5)和N-漂移区(6)，所述P型阱区(5)与P+sinker位于同一侧；

第五步：采用离子注入工艺，在P型阱区(5)上层形成与P+sinker侧面相连的源极(7)，在N-漂移区(6)中上层远离P型阱区(5)的一侧形成漏极(9)；

第六步：在器件上表面淀积二氧化硅介质层(10)，所述二氧化硅介质层(10)在栅极结构处形成凸起结构；

第七步：在二氧化硅介质层(10)上表面淀积金属层(21)；

第八步：采用刻蚀工艺对金属层进行刻蚀，在P+sinker(8)与部分源极(7)上表面形成源极金属(12)，在漏极(9)上表面形成漏极金属(13)，在二氧化硅介质层(10)凸起结构靠近漏极金属(13)的侧面、上表面及与该侧面相连的二氧化硅介质层(10)上表面形成法拉第罩；所述法拉第罩位于二氧化硅介质层(10)上表面的金属部分分为3段，分别为第一金属层(110)、第二金属层(111)和第三金属层(112)；所述第一金属层(110)与位于二氧化硅介质层(10)凸起结构的侧面及上表面的金属相连；所述第二金属层(111)位于第一金属层(110)和第三金属层(112)之间，分段后的金属层相互独立，从而使靠近漏端处的第二金属层(111)和第三金属层(112)浮空。