[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

随着TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器)尺寸的不断扩大，如果显示器的信号传输线以及电极的电阻较大，就会因为电阻压降而导致显示的不均匀，因此需要采用电阻率较低的材料来制作信号传输线以及电极。Cu的电阻率较低，因此Cu成为显示领域普遍采用的导线材质。

但是在采用Cu制备信号传输线以及电极之后，信号传输线以及电极中的Cu原子容易发生扩散，Cu原子会进入到绝缘层中，进而影响绝缘层的绝缘特性，因此，需要设置金属阻挡层来防止Cu的扩散。现有技术一般采用MoNb来制作金属阻挡层，在制作阵列基板的过程中，刻蚀Cu的刻蚀液是H₂O_2，为了能够对MoNb进行刻蚀，需要在H₂O₂刻蚀液中添加HF，但HF对组成半导体层的非晶硅有刻蚀作用。这样在对半导体层上的金属阻挡层进行刻蚀时，含有HF的H₂O₂刻蚀液将会破坏非晶硅的半导体特性，导致显示器点亮时出现显示不良。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够在对半导体层上的金属阻挡层进行刻蚀时，防止刻蚀液对半导体层的性能产生影响。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源电极和漏电极为包括金属层和金属阻挡层的多层结构，所述薄膜晶体管的非晶硅有源层上覆盖有刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层对应所述源电极和漏电极的位置设置有贯穿所述刻蚀阻挡层的过孔，所述源电极和漏电极分别通过所述过孔与所述非晶硅有源层连接。

进一步地，所述薄膜晶体管的栅电极为包括所述金属层和所述金属阻挡层的多层结构。

进一步地，所述多层结构为由所述金属层和所述金属阻挡层组成的双层结构，其中，第一层为所述金属阻挡层，第二层为所述金属层。

进一步地，所述多层结构为依次叠加的三层结构，其中，第一层为所述金属阻挡层，第二层为所述金属层，第三层为由Mo、Ti或Ta组成。

进一步地，所述金属层为采用Cu。

进一步地，所述金属阻挡层为采用Ti、Mo或MoNb合金。

进一步地，所述非晶硅有源层包括a-Si层和位于所述a-Si层上的n+a-Si层。

本发明实施例还提供了一种阵列基板，包括衬底基板和形成在衬底基板上的如上所述的薄膜晶体管。

进一步地，所述阵列基板的数据线和/或栅线为包括所述金属层和所述金属阻挡层的多层结构。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。

本发明实施例还提供了一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

在所述薄膜晶体管的非晶硅有源层上形成刻蚀阻挡层的图形，所述刻蚀阻挡层对应所述薄膜晶体管的源电极和漏电极的位置设置有贯穿所述刻蚀阻挡层的过孔；

利用包括金属层和金属阻挡层的多层结构形成所述薄膜晶体管的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别通过所述过孔与所述非晶硅有源层连接。

进一步地，所述制作方法还包括：

利用包括所述金属层和所述金属阻挡层的多层结构形成所述薄膜晶体管的栅电极。

进一步地，形成所述非晶硅有源层、源电极和漏电极具体包括：

形成由a-Si层和n+a-Si层组成的双层结构，对所述双层结构进行构图形成所述非晶硅有源层的图形；

在所述非晶硅有源层上形成刻蚀阻挡层，并对所述刻蚀阻挡层进行构图在对应所述源电极和漏电极的位置形成贯穿所述刻蚀阻挡层的过孔；

在所述刻蚀阻挡层上沉积包括金属层和金属阻挡层的多层结构，在所述多层结构上涂覆光刻胶，曝光显影后形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，利用含HF的H₂O₂刻蚀液对光刻胶去除区域的多层结构进行刻蚀，形成所述源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别通过所述过孔与所述非晶硅有源层连接。

进一步地，形成所述源电极和漏电极之后还包括：

通过干刻工艺去除所述源电极和漏电极之间间隙与所述非晶硅有源层对应区域的刻蚀阻挡层，暴露出所述区域的非晶硅有源层；