[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源电极和漏电极为包括金属层和金属阻挡层的多层结构，其特征在于，所述薄膜晶体管的非晶硅有源层上覆盖有刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层对应所述源电极和漏电极的位置设置有贯穿所述刻蚀阻挡层的过孔，所述源电极和漏电极分别通过所述过孔与所述非晶硅有源层连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的栅电极为包括所述金属层和所述金属阻挡层的多层结构。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述多层结构为由所述金属层和所述金属阻挡层组成的双层结构，其中，第一层为所述金属阻挡层，第二层为所述金属层。

4.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述多层结构为依次叠加的三层结构，其中，第一层为所述金属阻挡层，第二层为所述金属层，第三层为由Mo、Ti或Ta组成。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属层为采用Cu。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属阻挡层为采用Ti、Mo或MoNb合金。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述非晶硅有源层包括a-Si层和位于所述a-Si层上的n+a-Si层。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板和形成在衬底基板上的如权利要求1-7中任一项所述的薄膜晶体管。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的数据线和/或栅线为包括所述金属层和所述金属阻挡层的多层结构。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8或9所述的阵列基板。

11.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在所述薄膜晶体管的非晶硅有源层上形成刻蚀阻挡层的图形，所述刻蚀阻挡层对应所述薄膜晶体管的源电极和漏电极的位置设置有贯穿所述刻蚀阻挡层的过孔；

利用包括金属层和金属阻挡层的多层结构形成所述薄膜晶体管的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别通过所述过孔与所述非晶硅有源层连接。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

利用包括所述金属层和所述金属阻挡层的多层结构形成所述薄膜晶体管的栅电极。

13.根据权利要求11所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，形成所述非晶硅有源层、源电极和漏电极具体包括：

形成由a-Si层和n+a-Si层组成的双层结构，对所述双层结构进行构图形成所述非晶硅有源层的图形；

在所述非晶硅有源层上形成刻蚀阻挡层，并对所述刻蚀阻挡层进行构图在对应所述源电极和漏电极的位置形成贯穿所述刻蚀阻挡层的过孔；

在所述刻蚀阻挡层上沉积包括金属层和金属阻挡层的多层结构，在所述多层结构上涂覆光刻胶，曝光显影后形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，利用含HF的H₂O₂刻蚀液对光刻胶去除区域的多层结构进行刻蚀，形成所述源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别通过所述过孔与所述非晶硅有源层连接。

14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，形成所述源电极和漏电极之后还包括：

通过干刻工艺去除所述源电极和漏电极之间间隙与所述非晶硅有源层对应区域的刻蚀阻挡层，暴露出所述区域的非晶硅有源层；

刻蚀掉所述区域的n+a-Si层和部分a-Si层，形成所述薄膜晶体管的沟道。

15.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，采用如权利要求11-14中任一项所述的方法在衬底基板上形成薄膜晶体管。

16.根据权利要求15所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：

利用包括所述金属层和所述金属阻挡层的多层结构形成所述阵列基板的数据线和/或栅线。