[发明专利]一种提高高反射材料LED光源光通量输出的结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种LED光源结构，尤其涉及一种提高LED光源光通量输出的结构。

背景技术

GaN LED芯片，也可以理解为发光二极管，其粘结在基板(铝基，铜基或陶瓷等)的上表面。所述芯片的正负极通过金属导线(金线，铝线等)相互串联或并联，并且串联的首尾通过金属导线连接到铝基板的正负电极线路层。这样阵列GaN LED芯片就构成能够承载一定电压(串联电压的相加)、一定电流(并联电流相加)的电器件。GaN LED芯片上面覆盖有硅胶(包括混有荧光粉硅胶)，硅胶周围被围坝硅胶围栏。当这样构成的器件通上电流和电压的时候，阵列GaN LED芯片构成了蓝光LED集成光源。如果硅胶中混有荧光粉成为荧光粉胶的时候，部分GaN LED发出的蓝光激发荧光粉产生黄光。这种光组合就构成了白光LED集成光源。

当前的技术中，GaN LED芯片发出蓝光，蓝光射到荧光粉颗粒，颗粒被激发后发出光，到达线路层的垂直墙后被反射，反射光有些不能到达硅胶和空气的界面；有些反射光即使到达硅胶和空气的界面，也由于它对界面的入射角大于界面全反射临界角，还是不能走出硅胶到达空气中。类似的光线由于不能走出硅胶到达空气中而最终被硅胶吸收，转换成热能。所以，线路层的有垂直墙的结构的LED集成光源，由部分结构造成的光通量损失。

为解决上述问题，申请号为201420108433.4的实用新型专利就公开了一种提高LED集成光源光通量输出的结构，该结构包括基板；所述基板上的线路层；所述基板上的GaN LED芯片阵列；以及GaN LED芯片阵列之间、且存在于GaN LED芯片阵列与线路层之间的荧光粉硅胶层；围坝胶邻接于荧光粉硅胶层、所述线路层；其特征在于，面向所述GaN LED芯片阵列的所述绝缘层表面形成为斜坡反射墙。实现了改变LED集成光源中光路，使得硅胶中水平行走的光，穿出硅胶到达空气中，从而大大提高光通量输出。但是，由于在基板上形成了导电过孔，在模压成型时，会在导电过孔处出现溢胶的现象，从而影响产品质量。

发明内容

本发明的发明目的在于：针对现有技术存在的问题，提供一种能防止在模压成型过程中出现溢胶现象的提高高反射材料LED光源光通量输出的结构。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案为：

一种提高高反射材料LED光源光通量输出的结构，其特征在于，该结构包括基板、基板上的线路层、基板上的GaN LED芯片阵列、GaN LED芯片阵列之间且存在于GaN LED芯片阵列与线路层之间的荧光粉硅胶层；荧光粉硅胶层、线路层邻接有围坝胶；所述线路层包括所述基板上表面上的正面线路层、基板下表面上的背面线路层、设在基板上的导电过孔内部上并将正面线路层和背面线路层进行电性连接的连接线路层，所述导电过孔内壁的连接线路层之间填充有堵塞件，面向所述GaN LED芯片阵列的绝缘层表面形成为斜坡反射墙。

作为本发明的优选方案，所述堵塞件为松香堵塞件。

作为本发明的优选方案，所述正面线路层为GBL线路层，所述背面线路层为GBL线路层，且GBL线路层的厚度较GBL线路层的厚度大0.05mm。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：

本发明实现了改变LED集成光源的光路，使得硅胶中水平行走的光走出硅胶并到达空气中，从而提高光通量输出；由于在模压成型前在导电过孔内填充了松香堵塞件，则在模压成型过程中，能防止出现透镜成型胶水从导电过孔溢胶的现象，从而提高了产品的质量；另外，松香堵塞件被填充到导电过孔中后，一直留存在内，可以快速、便捷的为焊接工艺提供松香并作为助焊剂使用，松香作为助焊剂，能清除焊料和被焊母材表面的氧化物，使金属表面达到必要的清洁度，它防止焊接时表面的再次氧化，降低焊料表面张力，提高焊接性能。

附图说明

图1为本发明的一种线路层上有斜坡反射墙的LED集成光源结构；

图2为本发明的LED集成光源结构的光路图；

其中，附图标记为：1—金属导线、2—荧光粉硅胶层、3—GaN LED芯片阵列、4—围坝胶、5—正面线路层、6—连接线路层、7—背面线路层、8—基板、9—斜坡反射墙。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明作详细的说明。

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例1