[发明专利]3DIC互连器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一工件，包括：

第一衬底；和

第一金属化层，形成在所述第一衬底的正面上，所述第一金属化层具有第一互连件；

第二工件，与所述第一工件接合，所述第二工件包括：

第二衬底；和

第二金属化层，形成在所述第二衬底的正面上，所述第二金属化层具有第二互连件，其中，所述第二衬底的正面面对所述第一衬底的正面；

第一再分布层(RDL)，形成在所述第二衬底的背面上，所述第二衬底的背面与所述第二衬底的正面相对；

第一导电塞，从所述第二衬底的背面延伸至所述第一互连件，所述第一导电塞延伸穿过所述第二互连件，其中，所述第一导电塞具有从所述第二衬底的背面延伸至所述第二衬底的正面的第一宽度，从所述第二衬底的正面延伸穿过所述第二互连件的表面至所述第二互连件内的第二宽度和从所述第二互连件内延伸至所述第一互连件的第三宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度，并且所述第二宽度大于所述第三宽度，使得所述第一导电塞在所述第二互连件的上部具有第二宽度并且在所述二互连件的下部具有第三宽度；

第三工件，与所述第二工件接合，所述第三工件包括：

第三衬底；和

第三金属化层，形成在所述第三衬底的正面上，所述第三金属化层具有第三互连件，其中，所述第三衬底的正面面对所述第二衬底的背面；以及

第二导电塞，从所述第三衬底的背面延伸至所述第一再分布层，所述第二导电塞延伸穿过所述第三互连件，所述第三衬底的背面与所述第三衬底的正面相对。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第二RDL，形成在所述第三衬底的背面上，所述第二RDL与所述第二导电塞电接触。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电塞与所述第一再分布层、所述第一互连件和所述第二互连件电接触。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电塞与所述第一再分布层和所述第三互连件电接触。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第三导电塞，所述第三导电塞从所述第二衬底的所述背面延伸至所述第二金属化层的第四互连件，所述第三导电塞与所述第一再分布层和所述第四互连件电接触。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第三导电塞具有从所述第二衬底的背面延伸至所述第二衬底的正面的第一宽度，并且所述第三导电塞具有从所述第二衬底的正面延伸至所述第二金属化层中的所述第四互连件的第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度。