[发明专利]纳米线结构及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

对第一光刻胶层应用第一图案化工艺，其中，在牺牲层上方形成所述第一光刻胶层，并且其中，在衬底上方形成所述牺牲层；

通过第一蚀刻工艺在所述牺牲层中形成第一开口；

对第二光刻胶层应用第二图案化工艺，其中，在所述牺牲层上方形成所述第二光刻胶层；

通过第二蚀刻工艺在所述牺牲层中形成第二开口，其中，所述第二开口和所述第一开口以交替方式布置；以及

基于所述第一开口形成第一纳米线并基于所述第二开口形成第二纳米线。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在通过所述第一蚀刻工艺在所述牺牲层中形成所述第一开口的步骤之后，去除所述第一光刻胶层的剩余部分。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在基于所述第一开口形成所述第一纳米线并基于所述第二开口形成所述第二纳米线的步骤之前，在所述衬底上方沉积介电材料，其中，用所述介电材料填充所述第一开口和所述第二开口。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一图案化工艺是193nm光刻工艺；以及

所述第二图案化工艺是所述193nm光刻工艺。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

对第三光刻胶层应用第三图案化工艺，其中，在所述牺牲层上方形成所述第三光刻胶层；

通过第三蚀刻工艺在所述牺牲层中形成第三开口，其中，所述第三开口和所述第二开口以交替方式布置；

对第四光刻胶层应用第四图案化工艺，其中，在所述牺牲层上方形成所述第四光刻胶层；

通过第四蚀刻工艺在所述牺牲层中形成第四开口，其中，所述第四开口和所述第三开口以交替方式布置；以及

基于所述第三开口形成第三纳米线并基于所述第四开口形成第四纳米线。

6.根据权利要求5所述的方法，其中：

所述第三图案化工艺是193nm光刻工艺；以及

所述第四图案化工艺是所述193nm光刻工艺。

7.根据权利要求5所述的方法，其中：

所述第一纳米线、所述第二纳米线、所述第三纳米线和所述第四纳米线形成重复图案。

8.一种半导体器件，包括：

多条纳米线，形成在衬底上方，其中，两条相邻的纳米线之间的间距小于或等于20nm；

第一组纳米线，包括形成第一图案的四条纳米线并且所述第一组纳米线形成第一晶体管；

第二组纳米线，包括形成第二图案的四条纳米线并且所述第二组纳米线形成第二晶体管；

第三组纳米线，包括形成第三图案的四条纳米线并且所述第三组纳米线形成第三晶体管；以及

第四组纳米线，包括形成第四图案的四条纳米线并且所述第四组纳米线形成第四晶体管，并且其中，所述第一图案、所述第二图案、所述第三图案和所述第四图案形成重复图案。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中：

每条纳米线均包括形成在所述衬底上方的第一漏极/源极区、形成在所述第一漏极/源极区上方的沟道区，以及形成在所述沟道区上方的第二漏极/源极区，其中，所述沟道区由栅极介电层和栅电极层围绕。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中：

所述第一图案、所述第二图案、所述第三图案和所述第四图案是相同的方形形状。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中：

所述第一图案、所述第二图案、所述第三图案和所述第四图案是相同的金刚石形状。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中：

所述第一图案、所述第二图案、所述第三图案和所述第四图案是相同的四边形形状。