[发明专利]一种制备太阳能黑硅电池的方法在审
申请号: | 201510275434.7 | 申请日: | 2015-05-27 |
公开(公告)号: | CN104992991A | 公开(公告)日: | 2015-10-21 |
发明(设计)人: | 黄明;杨晓琴;陈圆;金阳;张广路;张宇 | 申请(专利权)人: | 上饶光电高科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L21/02;H01L31/18 |
代理公司: | 江西省专利事务所 36100 | 代理人: | 杨志宇 |
地址: | 334100 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 太阳能 电池 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种制备太阳能黑硅电池的方法,属于太阳能电池技术领域。
背景技术
光伏发电是当前利用太阳能的主要方式之一,太阳能光伏发电因其清洁、安全、便利、高效等特点,已成为世界各国普遍关注和重点发展的新兴产业。因此,深入研究和利用太阳能资源,对缓解资源危机、改善生态环境具有十分重要的意义。
制绒是多晶硅电池的第一道工艺,制绒又称“表面织构化”处理。对于多晶硅来说,制绒是利用酸对多晶硅表面的各向同性腐蚀,在硅表面形成无数的蠕虫状绒面。其目的是为了去除硅片表面的机械损伤层,同时在硅片表面制备一个反射率约 22% 的织构表面,以增加对光的吸收,提高太阳能电池的短路电流及光电转换效率。
黑硅材料是指在晶体硅表面形成一层纳米陷光绒面,其几乎可以吸收所有可见光,反射率可低至极低。黑硅因为较低的反射率,能极大增加太阳能电池的短路电流和光电转化效率。将生产黑硅绒面后的硅片依次进行后续电池生产工艺流程(制绒-扩散-刻蚀-镀膜-丝网印刷)制成黑硅电池。
发明内容
本发明的目的是提供一种制备太阳能黑硅电池的方法,通过金属催化、化学刻蚀的方法在硅片表面形成一层纳米绒面,可以极大改善光的吸收,从而提高太阳能电池的转化效率。
一种制备太阳能黑硅电池的方法,包括:取制绒后硅片,采用金属催化、化学刻蚀方法形成纳米绒面;使用修正液修饰绒面,保证绒面良好的均匀性和平整度;使用硝酸去除多余的纳米银颗粒;使用盐酸加双氧水混合液清洗去除金属离子;使用氢氟酸去除表面氧化层,使硅片表面呈疏水性;最后利用烘干机烘干硅片。
一种制备太阳能黑硅电池的方法,具体步骤为:
(1) 金属催化、化学刻蚀形成纳米绒面
采用表面干净的湿法制绒后的多晶硅硅片,将硅片放置在硝酸银、氢氟酸、双氧水的混合溶液中反应,反应温度为20-30℃,反应时间为180-360s,所述硝酸银的质量浓度为0.05-1%,氢氟酸的质量浓度为1%-15%,双氧水的质量浓度为0.1-1.5%,反应完成后,把硅片取出用去离子水清洗;
(2) 修正液修饰绒面
将上步骤清洗后的硅片放置在氢氧化钾或氢氧化钠溶液中反应,反应温度为25-35℃,反应时间为50s-180s,氢氧化钾和氢氧化钠的质量浓度都为0.01-1%,反应完成后,把硅片取出用去离子水清洗;
(3) 硝酸浸泡去除纳米银颗粒
将上步骤清洗后的硅片浸泡在硝酸溶液中,反应温度为常温,反应时间为10-100s,硝酸的质量浓度为10-50%,反应完成后,将硅片取出用去离子水清洗;
(4)盐酸和双氧水混合溶液浸泡去除金属离子
将上步骤清洗后的硅片浸泡在盐酸和双氧水混合溶液中,反应温度为40-70℃,反应时间为为10-100s,其中盐酸的质量浓度为1-20%,双氧水的质量浓度为0.5-15%,反应完成后,将硅片取出用去离子水清洗;
(5)氢氟酸去除硅片表面氧化层
将上步骤清洗后的硅片放置在氢氟酸溶液中,反应温度为常温,反应时间为10-100s,氢氟酸的质量浓度为1-10%,反应完成后,将硅片取出用去离子水清洗;
(6)甩干
将上步骤清洗后的硅片使用甩干机甩干,其中甩干机转速为200-300转/min,时间为300s;
将硅片取出依次进行制绒-扩散-刻蚀-镀膜-丝网印刷的工艺流程制成黑硅电池。
本发明的优点在于:通过金属催化、化学刻蚀的方法在硅片表面形成一层纳米绒面,可以极大改善光的吸收,从而提高太阳能电池的转化效率。该方法成本较低,工艺流程简单,且可以直接制备大面积的黑硅,具有较高的制备效率。能极大提升太阳能电池的效益。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1 为本发明制备太阳能黑硅电池的方法流程示意图。
图2 为实施例1提供的修饰后硅片表面扫描电镜微观组织图。
具体实施方式
下面结合具体实施例及附图来详细说明本发明的目的及功效。
实施例1
一种制备太阳能黑硅电池的方法,具体步骤为:
(1) 金属催化、化学刻蚀形成纳米绒面
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的