[发明专利]一种制备太阳能黑硅电池的方法

权利要求书

1.一种制备太阳能黑硅电池的方法，其特征在于：包括：取制绒后硅片，采用金属催化、化学刻蚀方法形成纳米绒面；使用修正液修饰绒面，保证绒面良好的均匀性和平整度；使用硝酸去除多余的纳米银颗粒；使用盐酸加双氧水混合液清洗去除金属离子；使用氢氟酸去除表面氧化层，使硅片表面呈疏水性；最后利用烘干机烘干硅片。

2.一种制备太阳能黑硅电池的方法，其特征在于：具体步骤为：

（1）金属催化、化学刻蚀形成纳米绒面

采用表面干净的湿法制绒后的多晶硅硅片，将硅片放置在硝酸银、氢氟酸、双氧水的混合溶液中反应，反应温度为20-30℃，反应时间为180-360s，所述硝酸银的质量浓度为0.05-1%，氢氟酸的质量浓度为1%-15%，双氧水的质量浓度为0.1-1.5%，反应完成后，把硅片取出用去离子水清洗；

（2）修正液修饰绒面

将上步骤清洗后的硅片放置在氢氧化钾或氢氧化钠溶液中反应，反应温度为25-35℃，反应时间为50s-180s，氢氧化钾和氢氧化钠的质量浓度都为0.01-1%，反应完成后，把硅片取出用去离子水清洗；

（3）硝酸浸泡去除纳米银颗粒

将上步骤清洗后的硅片浸泡在硝酸溶液中，反应温度为常温，反应时间为10-100s，硝酸的质量浓度为10-50%，反应完成后，将硅片取出用去离子水清洗；

（4）盐酸和双氧水混合溶液浸泡去除金属离子

将上步骤清洗后的硅片浸泡在盐酸和双氧水混合溶液中，反应温度为40-70℃,反应时间为为10-100s，其中盐酸的质量浓度为1-20%，双氧水的质量浓度为0.5-15%，反应完成后，将硅片取出用去离子水清洗；

（5）氢氟酸去除硅片表面氧化层

将上步骤清洗后的硅片放置在氢氟酸溶液中，反应温度为常温，反应时间为10-100s，氢氟酸的质量浓度为1-10%，反应完成后，将硅片取出用去离子水清洗；

（6）甩干

将上步骤清洗后的硅片使用甩干机甩干，其中甩干机转速为200-300转/min，时间为300s；

将硅片取出依次进行制绒-扩散-刻蚀-镀膜-丝网印刷的工艺流程制成黑硅电池。