[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一混合接合器件，包括第一器件和面对面地混合接合至所述第一器件的第二器件，所述第一器件包括具有多个第一接合连接件的第一衬底和设置在所述第一衬底表面上的第一接合层；以及

第二混合接合器件，背对背地接合至所述第一混合接合器件，所述第二混合接合器件包括第三器件和面对面地混合接合至所述第三器件的第四器件，所述第三器件包括具有多个第二接合连接件的第二衬底和设置在所述第二衬底表面上的第二接合层，其中，所述第三器件的所述多个第二接合连接件直接连接至所述第一器件的所述多个第一接合连接件，并且，所述第三器件的所述第二接合层直接连接至所述第一器件的所述第一接合层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一器件和所述第二器件通过多个第三接合连接件混合接合，所述第三器件和所述第四器件通过多个第四接合连接件混合接合，所述第三接合连接件设置在所述第一器件的最上方互连层中和所述第二器件的最上方互连层中，并且，所述第四接合连接件设置在所述第三器件的最上方互连层中和所述第四器件的最上互连层中。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第四器件包括第三衬底，所述第三衬底包括邻近其表面设置的多个第三接合连接件。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：接触焊盘，连接至所述多个第三接合连接件中每一个第三接合连接件。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：连接件，连接至多个所述接触焊盘中的每一个接触焊盘。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第四器件包括设置在其表面上的第三接合层，所述半导体器件还包括至少一个第五器件，并且所述至少一个第五器件混合接合至所述多个第三接合连接件和所述第四器件的所述第三接合层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述至少一个第五器件的第一面混合接合至所述第四器件，并且，多个接触焊盘连接至所述至少一个第五器件的第二面，所述第二面与所述第一面相对，其中，所述第一面是所述至少一个第五器件的背面。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述半导体器件包括奇数个所述至少一个第五器件，并且，顶部的第五器件包括连接至所述顶部第五器件的互连结构的最上方的互连层的多个接触焊盘。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述半导体器件包括偶数个所述至少一个第五器件，并且，顶部第五器件包括连接至设置在所述顶部第五器件的衬底中的多个第四接合连接件的多个接触焊盘。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个第一接合连接件和所述多个第二接合连接件包括混合接合焊盘(HBP)连接件。

11.一种半导体器件，包括：

第一器件，包括第一正面接合连接件和第一正面接合层；

第二器件，垂直堆叠在所述第一器件上方并且以面对面的结构混合接合至所述第一器件，所述第二器件包括接合至所述第一正面接合连接件的第二正面接合连接件且包括接合至所述第一正面接合层的第二正面接合层，所述第二器件还包括形成在所述第二器件的衬底中的第一背面接合连接件和形成在所述第二器件的衬底的背面上的第一背面接合层；

第三器件，垂直堆叠在所述第二器件上方且以背对背的结构混合接合至所述第二器件，所述第三器件包括形成在所述第三器件的衬底中且接合至所述第一背面接合连接件的第二背面连接件以及接合至所述第一背面接合层的第二背面接合层，所述第三器件还包括第三正面接合连接件和第三正面接合层；以及

第四器件，垂直堆叠在所述第三器件上方且以面对面的结构混合接合至所述第三器件，所述第四器件包括接合至所述第三正面接合连接件的第四正面接合连接件以及接合至所述第三正面接合层的第四正面接合层。