[发明专利]一种检测TFT阵列基板的缺陷的方法有效

专利信息
申请号: 201510273831.0 申请日: 2015-05-26
公开(公告)号: CN104834140B 公开(公告)日: 2019-03-15
发明(设计)人: 洪日;谢克成 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 钟子敏
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 检测 tft 阵列 缺陷 方法
【说明书】:

发明公开了一种检测TFT阵列基板的缺陷的方法,包括,定位TFT阵列基板上的异常区域;将所述异常区域与基板上的其他区域进行隔离;对所述异常区域进行处理,使所述异常区域处的多膜层逐层显露,并对显露出来的膜层进行检测从而确定所述异常区域处存在缺陷的膜层。该方法通过对TFT阵列基板的多膜层结构进行逐层解析,降低了测试中多膜层结构不同层别之间的交互影响,提高了对基板的缺陷进行检测的能力,并进一步减少了分析作业时间,提升了分析能力。将该方法用于新产品的开发,可以减少产品的开发时间,提升产品的竞争力。

技术领域

本发明涉及液晶显示器的测试领域,尤其涉及一种检测TFT阵列基板的缺陷的方法。

背景技术

TFT液晶显示器以其轻便、环保、高性能等优点获得了日渐普遍的应用。随着液晶显示器应用领域的扩大,其尺寸也越做越大。目前生产的65寸单屏液晶显示器,其屏幕的分辨率可以达到1920*1080。在如此高的集成度下,产品的不良率也会相应增加。加强在液晶显示器批量生产时的质量检查,及时发现抽检的阵列基板的缺陷以及分析阵列基板产生缺陷的原因,也日显其重要性。

现有技术针对上述情况还没有十分有效的检测方法,目前常用的检测手段主要为,检测人员根据经验大致判断出阵列基板的可能存在缺陷的异常区域,并对异常区域进行切割以供分析。这种方式只能粗略地定位到可能具有缺陷的薄膜晶体管,却很难定位到存在异常的具体膜层,且经过切割发现异常点后很难对异常点(比如断路点或短路点等)的大小、范围以及周边结构进行进一步分析。此外,这种方法还容易因切割而对膜层造成损坏进而影响分析结果。

目前,TFT阵列基板的集成度越来越高,膜层越来越多,且每一层膜都是逐层叠加,因此,当全部工序完成后,存在缺陷的膜层就有可能被覆盖在下面。在COA(color filteron array)技术中,还将色阻层整合到阵列基板上,使得发生异常的膜层更不易被发现。

因此,亟需一种能够有效地确定TFT阵列基板的缺陷的位置的方法以解决上述问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题之一是需要提供一种能够有效地确定TFT阵列基板的缺陷的位置的方法。

为了解决上述技术问题,本申请的实施例提供了一种检测TFT阵列基板的缺陷的方法,包括:定位TFT阵列基板上的异常区域;将异常区域与基板上的其他区域进行隔离;对异常区域进行处理,使所述异常区域处的多膜层逐层显露,并对显露出来的膜层进行检测从而确定所述异常区域处存在缺陷的膜层。

优选地,采用蚀刻的方法依次去除各膜层,使所述异常区域处的多膜层逐层显露。

优选地,所选取的蚀刻剂及对应的蚀刻时间,使每一次蚀刻仅蚀刻待蚀刻的膜层,而不会损坏待检测的膜层。

优选地,在检测到缺陷存在的膜层时停止检测,或在完成对异常区域处的每一层膜层的检测后停止检测。

优选地,采用特定形状的隔离板将所述异常区域与基板上的其他区域进行隔离。

优选地,将异常区域与基板上的其他区域进行隔离的步骤进一步包括:利用特定形状的隔离板覆盖所述异常区域;在其他区域涂覆形成保护层后,去除所述隔离板。

优选地,保护层包括塔菲胶。

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