[发明专利]一种检测TFT阵列基板的缺陷的方法

权利要求书

1.一种检测TFT阵列基板的缺陷的方法，包括：

定位TFT阵列基板上的异常区域；

采用圆形或椭圆形的隔离板将所述异常区域与基板上的其他区域进行隔离；

对所述异常区域进行处理，使所述异常区域处的多膜层逐层显露，并对显露出来的膜层进行检测从而确定所述异常区域处存在缺陷的膜层；

所述采用圆形或椭圆形的隔离板将所述异常区域与基板上的其他区域进行隔离的步骤进一步包括：

利用所述隔离板覆盖所述异常区域；

在其他区域涂覆形成保护层后，去除所述隔离板。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用蚀刻的方法依次去除各膜层，使所述异常区域处的多膜层逐层显露。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所选取的蚀刻剂及对应的蚀刻时间，使每一次蚀刻仅蚀刻待蚀刻的膜层，而不会损坏待检测的膜层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在检测到缺陷存在的膜层时停止检测，或在完成对所述异常区域处的每一层膜层的检测后停止检测。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层包括塔菲胶。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，若所述异常区域位于薄膜晶体管处，则该方法具体包括以下步骤：

步骤一、用所述隔离板覆盖所述异常区域的上方；

步骤二、在其他区域涂覆塔菲胶形成保护层后，去掉所述隔离板；

步骤三、利用磷酸或HF蚀刻掉第一钝化层，使源漏金属层显露；利用测试设备对所述源漏金属层进行检测，若发现缺陷则停止检测，若未发现缺陷则执行

步骤四；

步骤四、蚀刻所述源漏金属层，使欧姆接触层显露；利用测试设备对所述欧姆接触层进行检测，若发现缺陷则停止检测，若未发现缺陷则执行步骤五；

步骤五、蚀刻所述欧姆接触层，使半导体层显露；利用测试设备对所述半导体层进行检测，若发现缺陷则停止检测，若未发现缺陷则执行步骤六；

步骤六、依次蚀刻所述半导体层和栅极保护层，使栅极金属层显露；利用测试设备对所述栅极金属层进行检测。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，若所述异常区域的薄膜晶体管的上方还具有色阻层和第二钝化层，则在步骤三之前还包括：

利用磷酸或HF蚀刻掉第二钝化层，使所述色阻层显露；

利用测试设备对所述色阻层进行检测；

利用强碱蚀刻掉色阻层，使位于薄膜晶体管最外层的第一钝化层显露。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述隔离板的材质为铁，所述隔离板的面积根据异常区域的范围确定。