[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。

背景技术

随着液晶显示技术的发展，平板显示器已经取代CRT(Cathode Ray Tube，阴极射线管)显示器成为显示器领域的主流产品。目前，常用的平板显示器包括LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)和OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器。在成像过程中，LCD显示器中每一液晶像素点都集成在TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)来驱动，再配合外围驱动电路，实现图像显示。

在ADS(ADvanced Super Dimension Switch，高级超维场转换技术)模式下，在阵列基板上形成有两层透明电极(可以由氧化铟锡ITO来制作)，通常将其中一层ITO电极应用为公共电极(Vcom)，而将另外一层ITO电极应用为像素电极(Vpixel)。传统结构中，通常像素电极位于公共电极的上方，如图1所示。这种结构下，公共电极为没有狭缝的结构，由于在没有狭缝的结构下，受到旁边像素的电场的干扰，容易发生混色。为了解决该问题，现有技术提出了PCI(像素反转)结构，即公共电极位于像素电极上方，如图2所示。PCI结构下，由于栅线为逐行扫描，在对每一行栅线进行扫描时，所有数据线均将打开，为了避免数据线打开形成的电场造成液晶分子偏转，通过公共电极形成遮光部(公共电极与栅线/数据线(S/D)边缘之间部分)，其宽度需要不小于3um，这样，使得在公共电极之间最多可以形成1个狭缝，这降低了液晶效率，使得驱动电压升高。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，使得形成的公共电极狭缝个数可以包括至少两个，在避免相邻像素影响形成混色问题的同时，提高液晶效率。

本发明实施例提供一种阵列基板，包括交叉设置的多条栅线和多条数据线，所述交叉设置的多条栅线和多条数据线限定多个像素区域，每一所述像素区域包括薄膜晶体管，所述阵列基板还包括设置在所述薄膜晶体管和所述数据线上方的第一绝缘层，设置于第一绝缘层上方的金属层和位于金属层上方的第二绝缘层；以及设置在第二绝缘层上方的像素电极和公共电极，所述像素电极和公共电极之间设置有第三绝缘层，每个所述像素区域中的所述公共电极至少包括两个狭缝；其中，所述金属层覆盖所述数据线上方，所述像素电极通过至少贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。

所述金属层通过贯穿所述第二绝缘层和所述第三绝缘层的过孔与所述公共电极电连接。

所述金属层包括以下任一种或多种：钼、铜或者铝。

所述金属层的宽度大于所述数据线的宽度，且所述金属层的宽度中心与所述数据线的宽度中心位于同一直线上。

所述金属层的宽度为3～4um。

所述金属层的边缘与所述数据线的边缘之间的距离为0.8～1.5um。

相邻数据线之间的距离不大于14um。

本发明实施例提供一种显示面板，包括相对设置的彩色基板和上述的阵列基板。

本发明实施例提供一种制备阵列基板的方法，包括：

形成包括源漏极和数据线的图形；

形成第一绝缘层；

形成金属层，所述金属层位于所述第一绝缘层的上方，且所述金属层覆盖所述数据线上方；

形成第二绝缘层，并形成至少贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的过孔；

形成像素电极，所述像素电极位于所述第二绝缘层的上方，且所述像素电极通过至少贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的过孔与所述漏极电连接；

形成第三绝缘层；

形成公共电极，所述公共电极位于第三绝缘层上方，且所述公共电极至少包括两个狭缝。

本发明实施例提供的阵列基板制备方法，还包括：

形成至少贯穿所述第二绝缘层和第三绝缘层的过孔，所述金属层通过至少贯穿所述第二绝缘层和第三绝缘层的过孔与所述公共电极电连接。

本发明实施例提供的阵列基板制备方法，所述形成包括源漏极和数据线的图形的步骤之前，还包括：

在衬底基板上形成栅极；

在所述栅极上沉积栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成有源层。