[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201510272399.3 | 申请日: | 2015-05-25 |
公开(公告)号: | CN104882451B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 于海峰;黄海琴;王俊伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)或有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)具有低辐射、体积小及低耗能等优点,已逐渐在部分应用中取代传统的阴极射线管显示器(Cathode Ray Tube display,CRT),因而被广泛地应用在笔记本电脑、个人数字助理(Personal Digital Assistant,PDA)、平面电视或移动电话等信息产品上。传统液晶显示器的方式是利用外部驱动芯片来驱动面板上的芯片以显示图像,但为了减少元件数目并降低制造成本,近年来逐渐发展成将驱动电路结构直接制作于显示面板上,例如采用将栅极驱动电路(Gate Driver)整合于阵列基板上(Gate On Array,GOA)的技术。
GOA技术相比传统覆晶薄膜(Chip On Flex/Film,COF)和直接绑定在玻璃上(Chip On Glass,COG)的工艺,GOA技术不仅可以节省成本,而且面板可以做到两边对称美观设计,该技术的主要特点是依靠GOA单元连续触发实现其移位寄存的功能,省去了栅集成电路(Gate IC)的绑定(Bonding)区域以及Fan-out布线空间,实现了窄边框的设计;同时由于可以省去Gate方向Bonding的工艺,对产能和良品率提升也比较有利。
现有的GOA电路包括触发信号线STV,用于在每一帧开启时给第一行栅线提供驱动信号,通常触发信号线STV仅与部分GOA单元电连接。当STV信号线积累大量电荷并产生放电,可能使触发信号线与GOA单元电连接位置处被静电击穿并损坏GOA单元,造成显示面板无法正常显示。
发明内容
本发明的目的是提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置,以解决现有技术的GOA电路中,触发信号线由于积累大量电荷并产生放电,可能使触发信号线与GOA单元电连接位置处被静电击穿并损坏GOA单元,造成显示面板无法正常显示的问题。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
本发明实施例提供一种阵列基板,包括设置于非显示区的GOA电路,所述GOA电路包括多个GOA单元、至少一条传输触发信号的触发信号线和至少一条源极接地信号线;所述阵列基板还包括至少一条第一信号线、第一开关和第二开关;
所述第一开关连接于所述第一信号线和相对应的所述触发信号线之间;
所述第二开关连接于所述第一信号线和所述源极接地信号线之间;
所述第一信号线用于传输所述触发信号,并由所述触发信号控制所述第一开关和所述第二开关交替的导通和关断。
本实施例中,通过所述第一信号线传输所述触发信号,由所述触发信号所述第一开关和所述第二开关交替的导通和关断,使所述触发信号线上的电荷能够藉由所述第一信号线进行分散,所述述触发信号线与GOA单元电连接位置处不会积累大量电荷,从而避免在该连接位置处的静电击穿,确保正常显示。
优选的,所述第一信号线与所述触发信号线的数量相匹配。
优选的,所述第一开关和所述第二开关为薄膜晶体管。本实施例中,以薄膜晶体管作为所述第一开关和所述第二开关,可以与所述阵列基板上的薄膜晶体管阵列采用相同的工艺制备,不需要增加工序和制备难度。
优选的,所述第一开关为N型薄膜晶体管,所述第二开关为P型薄膜晶体管。本实施例中,所述第一开关和所述第二开关为不同类型的晶体管,可以由所述第一信号线所传输的信号的不同时段分别控制导通和关断。
优选的,作为所述第一开关的薄膜晶体管的栅电极和漏电极与所述第一信号线电连接,作为所述第一开关的薄膜晶体管的源电极与所述触发信号线电连接;
作为所述第二开关的薄膜晶体管的栅电极和源电极与所述第一信号线电连接,作为所述第二开关的薄膜晶体管的漏电极与所述源极接地信号线电连接。
优选的,所述第一信号线与作为所述第一开关的薄膜晶体管的栅电极和作为所述第二开关的薄膜晶体管的栅电极同层设置。
优选的,所述第一信号线与作为所述第一开关的薄膜晶体管的栅电极和作为所述第二开关的薄膜晶体管的栅电极电连接为一整体。本实施例中,所述第一信号线、作为所述第一开关的薄膜晶体管的栅电极和作为所述第二开关的薄膜晶体管的栅电极连成一个整体,不需要单独进行设计,减少额外的设计,并能够减少电阻。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的