[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括设置于非显示区的GOA电路，所述GOA电路包括多个GOA单元、至少一条传输触发信号的触发信号线和至少一条源极接地信号线；其特征在于，所述阵列基板还包括至少一条第一信号线、第一开关和第二开关；

所述第一开关连接于所述第一信号线和相对应的所述触发信号线之间；

所述第二开关连接于所述第一信号线和所述源极接地信号线之间；

所述第一信号线用于传输所述触发信号，并由所述触发信号控制所述第一开关和所述第二开关交替的导通和关断。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一信号线与所述触发信号线的数量相匹配。

3.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开关和所述第二开关为薄膜晶体管。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开关为N型薄膜晶体管，所述第二开关为P型薄膜晶体管。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，作为所述第一开关的薄膜晶体管的栅电极和漏电极与所述第一信号线电连接，作为所述第一开关的薄膜晶体管的源电极与所述触发信号线电连接；

作为所述第二开关的薄膜晶体管的栅电极和源电极与所述第一信号线电连接，作为所述第二开关的薄膜晶体管的漏电极与所述源极接地信号线电连接。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一信号线与作为所述第一开关的薄膜晶体管的栅电极和作为所述第二开关的薄膜晶体管的栅电极同层设置。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一信号线与作为所述第一开关的的薄膜晶体管的栅电极和作为所述第二开关的薄膜晶体管的栅电极电连接为一整体。

8.如权利要求5至7任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述第一开关和所述第二开关上方的钝化层、以及位于所述钝化层上方的像素电极。

9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，作为所述第一开关的薄膜晶体管的漏电极和作为所述第二开关的薄膜晶体管的源电极与所述第一信号线之间、作为所述第一开关的薄膜晶体管的源电极与所述触发信号线之间、以及作为所述第二开关的薄膜晶体管的漏电极与所述源极接地信号线分别通过ITO导线电连接，所述ITO导线与所述像素电极同层设置。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的阵列基板。

11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的显示面板。

12.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成栅极金属层，所述栅极金属层包括设置于非显示区的触发信号线、第一信号线、源极接地信号线、作为第一开关的薄膜晶体管的栅电极和作为第二开关的薄膜晶体管的栅电极，且所述第一信号线与作为所述第一开关的薄膜晶体管的栅电极和作为所述第二开关的薄膜晶体管的栅电极电连接；

在所述栅极金属层之上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层之上形成半导体层，所述半导体层包括所述第一开关的有源层和所述第二开关的有源层；

在半导体层之上形成源漏极金属层，所述源漏极金属层包括作为所述第一开关的薄膜晶体管的源电极和漏电极、作为所述第二开关的薄膜晶体管的源电极和漏电极；

在所述源漏极金属层之上形成钝化层；

在所述钝化层之上形成像素电极层，所述像素电极层包括像素电极和多条ITO导线，所述ITO导线通过过孔分别实现作为所述第一开关的薄膜晶体管的漏电极和作为所述第二开关的薄膜晶体管的源电极与所述第一信号线的电连接、作为所述第一开关的薄膜晶体管的源电极与所述触发信号线的电连接、以及作为所述第二开关的薄膜晶体管的漏电极与所述源极接地信号线的电连接。