[发明专利]电流电压变换电路以及自激振荡电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种电流电压变换电路以及自激振荡电路。

本发明基于2014年5月23日向日本申请的特愿2014－107185主张优先权，在此引用其内容。

背景技术

日本特开2006－71498号公报(以下称为“专利文献1”)中，记载有将振子的静电容量变化变换为电压变化并输出的电路。在专利文献1记载的技术中，利用由运算放大器、电阻、以及电容器构成的变换电路，将振子的静电容量变化变换为电压变化。

日本特公昭46－27633号公报(以下称为“专利文献2”)中，记载有使用将基极接地的晶体管和电容器而将电流变化变换为电压变化的电路。

在专利文献1记载的技术中，在运算放大器中产生输入偏置电压，该输入偏置电压是将在输入为0的情况下表现为输出的电压(输出偏置)换算为输入值而得到的。该输入偏置电压由于温度、经年变化、随频率增高而可靠减小的闪烁噪声等的影响而发生变动。如果输入偏置电压发生变化，则在由运算放大器变换的振子的电压变化过程中，会产生所输出的电压值相对于频率、振幅的误差。另外，在专利文献1记载的技术中，产生用于驱动运算放大器的消耗电流。如果提高运算放大器的SN比(信号与噪声之比)，或者加宽运算放大器的频带，则该消耗电流通常会增加。

在专利文献2记载的技术中，与使用运算放大器的情况相比，通过使用晶体管，有时能够减小消耗电流。在该情况下，在专利文献2记载的技术中，对于为了得到输出电压而进行变换的晶体管，需要将其设为接通状态而使电流流至晶体管的集电极。但是，由于需要0.3～0.6V左右的晶体管的基极与发射极之间的电压差，因此有时无法对微小的输入信号进行变换。另外，在专利文献2记载的技术中，在输入电流的大小发生变化、且晶体管的基极与发射极之间的电压差小于或等于0.3V的情况下，电流变换动作停止，因此从晶体管输出的电流的波形有时发生失真。并且，在专利文献2记载的技术中，为了检测电流而使用电容器，因此，直至该电容器的与晶体管连接的端子侧的电位稳定为止需要花费时间。因此，如果要使用专利文献2记载的技术而将振子的输出电流变化变换为电压变化，则有时会发生上述状况。

发明内容

本发明的一个方式提供一种电流电压变换电路以及自激振荡电路，其能够减少传感器的输出电极的电位变化，能够减少电路的消耗电流。

本发明的第一方式的电流电压变换电路可以具备：第一电阻，其一端与传感器的电极连接，其另一端与第一电位连接；第一电流源；第一电容器，其一端与所述第一电阻的一端连接，其另一端与所述第一电流源连接；第一输出端子；第一电压源；第一晶体管，其第一端子与所述第一电容器的另一端连接，其第二端子与所述第一输出端子连接，其控制端子与所述第一电压源连接；以及第二电阻，其一端与所述第一晶体管的所述第二端子连接，其另一端与第二电位连接。

在上述第一方式的电流电压变换电路中，所述第一电阻可以构成为将从所述传感器输入的电位固定。

在上述第一方式的电流电压变换电路中，所述第一晶体管可以是P型MOS晶体管。所述第一端子可以是所述第一晶体管的源极，所述第二端子可以是所述第一晶体管的漏极，所述控制端子可以是所述第一晶体管的栅极。所述第二电位可以为0V。

在上述第一方式的电流电压变换电路中，所述第一晶体管可以是N型MOS晶体管。所述第一端子可以是所述第一晶体管的源极，所述第二端子可以是所述第一晶体管的漏极，所述控制端子可以是所述第一晶体管的栅极。所述第二电位可以为正的电源电位。

在上述第一方式的电流电压变换电路中，所述第一晶体管可以是PNP型晶体管。所述第一端子可以是所述第一晶体管的发射极，所述第二端子可以是所述第一晶体管的集电极，所述控制端子可以是所述第一晶体管的基极。所述第二电位可以为0V。

在上述第一方式的电流电压变换电路中，所述第一晶体管可以是NPN型晶体管，所述第一端子可以是所述第一晶体管的发射极，所述第二端子可以是所述第一晶体管的集电极，所述控制端子可以是所述第一晶体管的基极。所述第二电位可以为正的电源电位。

在上述第一方式的电流电压变换电路中，所述第一电阻的一端可以与所述传感器的振子连接。